[发明专利]基于衍射的套刻标识以及套刻误差测量方法有效

专利信息
申请号: 201910231214.2 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN109828440B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 陈巧丽;王艳云;杨正凯 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 栾美洁
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 衍射 标识 以及 误差 测量方法
【权利要求书】:

1.一种基于衍射的套刻标识,其特征在于,包括前层套刻标识以及相对于所述前层套刻标识的第一当层套刻标识和第二当层套刻标识,所述前层套刻标识包括依次分布且相互平行的多个等间距前层线条以及位于相邻前层线条之间的凹陷区,所述第一当层套刻标识和所述第二当层套刻标识完全相同且均包括依次分布且相互平行的多个等间距当层线条以及位于相邻当层线条之间的凹陷区,所述前层套刻标识的前层线条和所述第一当层套刻标识、第二当层套刻标识的当层线条平行,且前层线条和当层线条向两端的延伸方向与X方向和Y方向之间的夹角均为45°,所述第一当层套刻标识和所述第二当层套刻标识相对于所述前层套刻标识在与前层线条延伸方向相垂直的方向上均偏移第一偏移值且偏移方向相反。

2.根据权利要求1所述的基于衍射的套刻标识,其特征在于,所述前层套刻标识的前层线条宽度和当层套刻标识的当层线条宽度中的最小值大于第一偏移值。

3.根据权利要求1所述的基于衍射的套刻标识,其特征在于,所述前层套刻标识的等间距线条为实线条,所述第一当层套刻标识和第二当层套刻标识的等间距线条均为实线条。

4.根据权利要求1所述的基于衍射的套刻标识,其特征在于,所述前层套刻标识的等间距线条为点阵条,所述第一当层套刻标识和第二当层套刻标识的等间距线条均为实线条。

5.根据权利要求1所述的基于衍射的套刻标识,其特征在于,所述前层套刻标识的等间距线条为实线条,所述第一当层套刻标识和第二当层套刻标识的等间距线条均为点阵条。

6.根据权利要求1所述的基于衍射的套刻标识,其特征在于,所述前层套刻标识的等间距线条为点阵条,所述第一当层套刻标识和第二当层套刻标识的等间距线条均为点阵条。

7.根据权利要求1所述的基于衍射的套刻标识,其特征在于,所述前层套刻标识的等间距线条的尺寸根据前层光刻层的光刻条件确定,第一当层套刻标识和第二当层套刻标识的等间距线条的尺寸根据当层光刻层的光刻条件确定。

8.根据权利要求1所述的基于衍射的套刻标识,其特征在于,所述第一偏移值根据前层光刻层和当层光刻层的光刻条件确定。

9.根据权利要求1所述的基于衍射的套刻标识,其特征在于,所述套刻标识的形状根据放置区域确定。

10.根据权利要求9所述的基于衍射的套刻标识,其特征在于,所述套刻标识的形状为正方形或长方形。

11.根据权利要求9所述的基于衍射的套刻标识,其特征在于,所述套刻标识的放置区域为切割道或曝光区域内的器件附近。

12.一种对权利要求1至11中任一项所述的套刻标识进行套刻误差测量的方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1,提供一晶圆,并设计一套刻标识,所述套刻标识包括前层套刻标识、第一当层套刻标识和第二当层套刻标识;

所述前层套刻标识包括依次分布且相互平行的多个等间距前层线条以及位于相邻前层线条之间的凹陷区,所述第一当层套刻标识和所述第二当层套刻标识完全相同且均包括依次分布且相互平行的多个等间距当层线条以及位于相邻当层线条之间的凹陷区,所述前层套刻标识的前层线条和所述第一当层套刻标识、第二当层套刻标识的当层线条平行,且前层线条和当层线条向两端的延伸方向与X方向和Y方向之间的夹角均为45°,所述第一当层套刻标识和所述第二当层套刻标识相对于所述前层套刻标识在与前层线条延伸方向相垂直的方向上均偏移第一偏移值且偏移方向相反;

步骤S2,完成所述晶圆的前层的光刻、刻蚀工艺,形成所述前层套刻标识;

步骤S3,完成所述晶圆的第一当层的光刻工艺,形成所述第一当层套刻标识;

步骤S4,完成所述晶圆的第二当层的光刻工艺,形成所述第二当层套刻标识,所述第二当层套刻标识与所述第一当层套刻标识组成当层套刻标识;

步骤S5,利用光学衍射方法进行测量,根据当前套刻标识与前层套刻标识形成的衍射束强度分布获得当层套刻标识与前层套刻标识在X方向和Y方向的套刻误差。

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