[发明专利]电阻模型及其提取方法

说明书

本发明涉及一种电阻模型，涉及半导体集成电路，将影响电阻的电压系数的电阻宽度W及电阻方块数sqr的特征因子引入到电阻模型中来优化电阻模型精度，并采用人工智能算法优化影响电阻的电压系数的电阻宽度W及电阻方块数sqr的特征因子，直至根据以优化的电阻宽度调整因子和电阻方块数调整因子为电阻宽度调整因子和电阻方块数调整因子的电阻模型得到的误差收敛满足要求，则输出优化的电阻宽度调整因子和电阻方块数调整因子，并将优化的电阻宽度调整因子和电阻方块数调整因子作为电阻模型的电阻宽度调整因子和电阻方块数调整因子，使得该新型电阻模型能够更好、更准确的反应电阻器件的特性。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路，尤其涉及一种电阻模型及其提取方法。

背景技术

在半导体集成电路中，电阻是逻辑及模拟电路中的重要无源器件。CMOS集成电路中的电阻按照其加工工艺以及半导体材料通常可分为扩散(Diffusion)电阻、多晶硅(POLY)电阻、阱(NWELL)电阻和金属电阻。这些电阻的电阻率和精度各不相同，可应用在不同的场合。SPICE模型中通常利用宏模型来对电阻进行拟合。宏模型决定了电阻SPICE模型结构多变，参数灵活的特点。利用宏模型可以自由加入自定义的参数来拟合电阻的各种特性。随着工艺节点的不断推进，电路设计工程师对于电阻模型的可靠性与准确性不断提出新的要求。然而，目前的电阻模型并不能全面、精确表征电阻的参数。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电阻模型，使电阻模型能够更好、更准确的反应电阻器件的特性。

本发明提供的电阻模型，为：

R＝Rsh0*(1+(JC1a+JC1a_w*W+JC1a_n*sqr+V*(JC1b+JC1b_w*W+JC1b_n*sqr)/L)/L+V*V*(JC2a+JC2a_w*W+JC2a_n*sqr+(JC2b+JC2b_w*W+JC2b_n*sqr)/L)/L)*L/W

其中，L为电阻体的长度(厘米)，W为电阻体的横截面积(平方厘米)，V为施加在电阻上的电压(伏)，sqr为方块数，Rsh0为电压为零时的电阻值，JC1a和JC1b为第一电压系数VC1的长度特征系数，JC2a和JC2b为第二电压系数VC2的长度特征系数，JC1a_w、JC1b_w、JC2a_w、JC2b_w为电阻宽度调整因子，JC1a_n、JC1b_n、JC2a_n、JC2b_n为电阻方块数调整因子，其中，VC1(1/L)＝JC1a*(1/L)+JC1b*(1/L)*(1/L)，VC2(1/L)＝JC2a*(1/L)+JC2b*(1/L)*(1/L)。