[发明专利]用于形成自适应层的装置及其使用方法在审
| 申请号: | 201910226016.7 | 申请日: | 2019-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN110320741A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
| 发明(设计)人: | A·切若拉;M·J·迈斯尔 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨小明 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 自适应层 衬底卡盘 平坦度 衬底 厚度分布 逻辑元件 图案化层 卡盘 图案化抗蚀剂 关联 重叠误差 倒数 对准 配置 帮助 | ||
本发明涉及用于形成自适应层的装置及其使用方法。一种装置可以包括逻辑元件,所述逻辑元件被配置为至少部分地基于与第一衬底卡盘和第二衬底卡盘相关联的平坦度分布的差异来生成与要在当前衬底上方形成的自适应层相对应的信息。在另一方面中,一种方法可以包括使用先前的衬底获得第一卡盘和第二卡盘的厚度分布的差异,以及在形成与先前形成的图案化层对准的图案化抗蚀剂层之前并且在当前衬底的先前形成的图案化层上方形成自适应层。在一个实施例中,自适应层的厚度分布是衬底卡盘的平坦度分布的差异的倒数的函数。自适应层可以帮助减少与衬底卡盘的不同平坦度分布相关联的重叠误差。
技术领域
本公开涉及一种装置,更具体地涉及一种用于形成自适应层的装置。
背景技术
光刻装置和工艺在电子器件制造中在半导体衬底上形成纳米级图案方面是有用的。这样的装置和工艺可以包括使用流体分配系统,用于使用诸如流体液滴分配的技术将可成形材料(例如,诸如树脂或抗蚀剂的可聚合材料)沉积到衬底上。分配的材料与具有期望的图案特征的压印模板(或模具)接触,然后固化,从而在衬底上形成图案化层。模板特征填充率和相关缺陷部分地取决于模板图案特征密度和取向以及液滴图案布置,包括流体液滴节距(pitch)。
当以当前的水平形成图案化的抗蚀剂层时,图案化的抗蚀剂层需要相对于先前的图案化层被适当地重叠。可能是使用光学光刻、压印光刻或另一图案化技术形成了先前的图案化层。层之间的任何偏差称为重叠误差(overlay error)。即使与光刻装置的任何部分的非常小的偏差也会由于以当前和先前的图案化水平形成的特征的非常小的尺寸而导致显著的重叠误差。
发明内容
在一个方面中,一种装置包括:逻辑元件,所述逻辑元件被配置为至少部分地基于与第一衬底卡盘和第二衬底卡盘相关联的平坦度分布的差异来生成与要在当前衬底上方形成的自适应层相对应的信息。
在一个实施例中,平坦度分布的差异至少部分地基于先前的衬底上方的第一图案化层和第二图案化层之间的原始重叠误差,其中,使用第一衬底卡盘对第一图案化层进行图案化,并且使用第二衬底卡盘对第二图案化层进行图案化。
在一个特定实施例中,逻辑元件还被配置为去除对应于第一图案化层和第二图案化层之间的未对准的对准贡献。
在另一个特定实施例中,逻辑元件还被配置为去除对应于与用于形成第一图案化层的第一压印模板、用于形成第二图案化层的第二压印模板、或者第一压印模板和第二压印模板相关联的压印失真的压印失真贡献。
在又一个特定实施例中,逻辑元件还被配置为去除平均场标签(mean fieldsignature)。
在再一个特定实施例中,逻辑元件还被配置为去除与第一衬底卡盘和第二衬底卡盘相关联的平坦度引起的失真贡献。
在另一个实施例中,逻辑元件还被配置为:测量先前的衬底上方的第一图案化层和第二图案化层之间的原始重叠误差,其中,使用第一衬底卡盘对第一图案化层进行图案化,并且使用第二衬底卡盘对第二图案化层进行图案化;去除对应于第一图案化层和第二图案化层之间的未对准的对准贡献;去除对应于与用于形成第一图案化层的第一压印模板、用于形成第二图案化层的第二压印模板、或者第一压印模板和第二压印模板相关联的压印失真的压印失真贡献;以及去除与第二衬底卡盘相关联的平坦度引起的失真贡献。
在一个特定实施例中,逻辑元件还被配置为:去除平均场标签。
在另一个实施例中,对应于自适应层的信息包括与自适应层相关联的流体液滴图案。
在另一个方面中,一种方法包括确定与第一衬底卡盘和第二衬底卡盘相关联的平坦度分布的差异;以及在当前衬底上方形成自适应层,其中,自适应层具有厚度分布,该厚度分布是所述平坦度分布的差异的倒数的函数。
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