[发明专利]一种气浮垫结构在审

专利信息
申请号: 201910222059.8 申请日: 2019-03-22
公开(公告)号: CN111720440A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 刘屈武 申请(专利权)人: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号: F16C32/06 分类号: F16C32/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 气浮垫 结构
【说明书】:

发明公开了一种气浮垫结构,包括气浮垫本体,气浮垫本体包括出气面、与出气面对应的非出气面以及连接出气面和非出气面的多个侧面;至少一个侧面设置有气体入口;出气面设置有多个第一出气单元;第一出气单元至少包括第一节流孔、第一均压槽、第一凸台和第二均压槽;第一均压槽环绕第一节流孔设置;第一凸台环绕第一均压槽设置;第二均压槽环绕第一凸台设置。采用上述技术方案,通过设置第一凸台环绕第一均压槽,保证通过第一凸台阻挡气流在流动过程中湍流的充分发展,降低涡流,从而减少气浮垫压力波动,改善气振情况;同时,设置第二均压槽环绕第一凸台,保证气浮垫结构具备更大的峰值刚度和更大的峰值承载力,提升气浮垫结构的承载能力。

技术领域

本发明实施例涉及气浮垫技术领域,尤其涉及一种气浮垫结构。

背景技术

静压气浮技术是光刻设备精密运动部件的核心技术。通常在精密运动中通过静压气浮技术,运动结构与承载面之间会形成一层几十微米以下的空气薄膜使运动部件在运动过程中会与承载面隔离,这种非接触式承载相比传统的机械导轨具有摩擦力极低,隔热隔振优势,另外在半导体设备对污染控制异常严格,减少了机械导轨与导轨面直接接触摩擦产生的颗粒污染。

通常这种静压气浮技术是通过气浮垫或者气浮块来实现的。现有技术中的气浮垫一般包括小孔节流气浮垫和环面节流气浮垫。但是小孔节流气浮垫存在浮垫压力波动,最终引起轴承微振动,动态稳定性差的技术问题;环面节流气浮垫存在刚度和承载力小,不能满足高承载力和高刚度的要求的技术问题。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供一种气浮垫结构,以解决现有技术中的气浮垫结构动态稳定性差或者刚度和承载力小的技术问题。

本发明实施例提供了一种气浮垫结构,包括气浮垫本体,所述气浮垫本体包括出气面、与所述出气面对应的非出气面以及连接所述出气面和所述非出气面的多个侧面;

至少一个所述侧面设置有气体入口;

所述出气面设置有多个第一出气单元;所述第一出气单元至少包括第一节流孔、第一均压槽、第一凸台和第二均压槽;

所述第一均压槽环绕所述第一节流孔设置;

所述第一凸台环绕所述第一均压槽设置;

所述第二均压槽环绕所述第一凸台设置。

可选的,所述第一凸台远离所述非出气面一侧的表面与所述第一凸台的侧面之间的夹角为α,其中90°<α<180°。

可选的,所述第一凸台远离所述非出气面一侧的表面与所述第一凸台的侧面之间的夹角为圆弧角。

可选的,所述第一出气单元还包括至少一个第二凸台和至少一个第三均压槽;

所述第二凸台环绕所述第二均压槽设置;

所述第三均压槽环绕所述第二凸台设置。

可选的,所述出气面还设置有多个第二出气单元,所述第二出气单元包括第二节流孔。

可选的,所述出气面还设置有多个第四均压槽。

可选的,沿垂直所述出气面的方向,所述第一均压槽的深度为H1,所述第一凸台的高度为H2,所述第二均压槽的深度为H3,其中,H2≤H1,H2≤H3。

可选的,0.01mm≤H1≤0.05mm;0.01mm≤H3≤0.05mm;

所述第一凸台远离所述非出气面一侧的表面与所述出气面之间的距离为s,其中0mm≤s≤0.02mm。

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