[发明专利]非破坏检测方法有效
申请号: | 201910183815.0 | 申请日: | 2019-03-12 |
公开(公告)号: | CN110270769B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 筑地修一郎;一宫佑希 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B23K26/53 | 分类号: | B23K26/53;B23K26/03;B23K26/08;B23K26/70 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 破坏 检测 方法 | ||
提供非破坏检测方法,能够高效地进行通过激光加工而形成于被加工物的改质层的深度位置和长度的确认,并且能够迅速地设定适当的激光加工条件。在与X轴Y轴平面垂直的Z轴方向上隔开规定的间隔(H)而间歇地对被加工物的内部进行拍摄,获取多个X轴Y轴平面图像,针对由这些图像得到的三维图像(101),计算出通过反卷积而去除了模糊后的清晰的三维清晰图像,将三维清晰图像与Z轴平行地切断,根据改质层的剖面的二维图像,对改质层的Z轴坐标值和改质层的长度进行检测。能够迅速地反复进行激光加工和改质层的状态检测,能够尽快发现最适合改质层形成的激光加工条件。
技术领域
本发明涉及对通过激光加工而形成于被加工物的内部的改质层的状态进行检测的方法。
背景技术
存在如下的方法:从在正面上由分割预定线划分的区域中形成有器件的晶片的背面,沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线,使激光光线会聚至晶片的内部而在聚光点处形成改质层,然后对改质层施加外力而以改质层为起点对晶片进行分割(例如,参照专利文献1)。
在该分割方法中,晶片的厚度方向上的改质层的深度位置和长度与晶片的分割容易性存在关联。因此,通过知晓改质层的深度位置和长度,能够判断是否形成了适合分割的改质层。
因此,还提出了如下的方法,预先将晶片的端部切断,在晶片的内部形成改质层,然后对晶片的切断面进行拍摄,从而观察改质层的状态(例如,参照专利文献2)。
专利文献1:日本特许3408805号公报
专利文献2:日本特开2017-166961号公报
但是,为了进行改质层的深度位置和长度是否最适合被加工物的分割的判断,需要交替地反复进行改质层的形成以及所形成的改质层的观察,在专利文献2所记载的方法中,需要将晶片切断而观察改质层,因此产生了在设定最佳的激光加工条件之前要花费时间的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,其课题在于,能够高效地进行通过激光加工而形成于被加工物的改质层的深度位置和长度的确认,并且能够迅速地设定适当的激光加工条件。
本发明是非破坏检测方法,以非破坏方式对改质层进行检测,该改质层是通过将对于被加工物具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于被加工物的内部并照射激光光线而形成的,该被加工物具有第一面和该第一面的相反侧的第二面,其中,该非破坏检测方法具有如下的工序:准备工序,准备如下的检查装置:该检查装置具有拍摄单元、光源、驱动单元以及存储单元,其中,该拍摄单元具有物镜并且从该第一面侧对被加工物的内部进行拍摄,该光源从该第一面侧照射对于被加工物具有透过性的波段的光,该驱动单元使该物镜相对于该第一面接近或远离,该存储单元对该拍摄单元所拍摄到的图像进行存储;获取工序,在将与该第一面平行的面设为X轴Y轴平面的情况下,使该物镜间歇地在与X轴Y轴平面垂直的Z轴方向上隔开规定的间隔H而接近该第一面,根据被加工物的折射率将焦点定位于被加工物内的Z轴坐标位置,按照每个Z轴坐标值来获取被加工物的内部的多个X轴Y轴平面图像并存储于该存储单元;存储工序,针对根据在该获取工序中存储的每个Z轴坐标值的多个X轴Y轴平面图像而生成的三维图像,计算出通过反卷积而去除了模糊后的清晰的三维清晰图像并存储于该存储单元;以及检测工序,将在该存储工序中存储的该三维清晰图像与Z轴平行地切断,从改质层的剖面的二维图像检测改质层的Z轴坐标值和改质层的长度。
优选所述反卷积是:将根据在所述获取工序中存储的每个Z轴坐标值的X轴Y轴平面图像而生成的三维图像的傅里叶变换除以三维点扩散函数的傅里叶变换,接着进行傅里叶逆变换而计算出清晰的三维清晰图像,其中,该三维点扩散函数表示定位于改质层内的该拍摄单元的焦点因光学系统而引起的模糊效应。
优选所述三维点扩散函数是Gibson-Lanni模型的公式。
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