[发明专利]背面研磨用粘着胶带有效
申请号: | 201910179977.7 | 申请日: | 2019-03-11 |
公开(公告)号: | CN110272696B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 守本宗弘;田中广美 | 申请(专利权)人: | 麦克赛尔株式会社 |
主分类号: | C09J7/50 | 分类号: | C09J7/50;C09J7/25;C09J133/04;H01L21/683 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 研磨 粘着 胶带 | ||
本发明提供一种背面研磨用粘着胶带,在粘贴于具有凸块、电极突起等凹凸形状的半导体晶片时适当追随凸块、电极突起,另外在背面研磨时凹痕产生、晶片破损产生率极小,进而在剥离粘着胶带时凸块部、电极突起破损产生率极小,能够在被粘接面不产生残胶而容易剥离,能够充分抑制背面研磨后的晶片厚度偏差。一种背面研磨用粘着胶带,具有基材以及依次形成于该基材上的中间树脂层和粘着层的半导体晶片,该中间树脂层在55~80℃的任一温度下具有0.15×106~1.51×106Pa的储能模量,该粘着层由包含具有2.0mgKOH/g以下酸值和1.0~15.0mgKOH/g羟基值的丙烯酸系粘着性聚合物作为主成分的非固化性粘着剂构成。
技术领域
本发明涉及在进行半导体晶片的背面研磨时为了保护半导体晶片的表面而粘贴的背面研磨用粘着胶带。
背景技术
关于以大直径的状态制造的半导体晶片,在通过光致抗蚀、蚀刻、离子注入、抛光等工序在半导体晶片的表面形成预定的电路图案、通过溅射形成电极后,按照成为预定厚度的方式实施背面研磨处理(以下,也记载为“背面研磨”。),进一步根据需要实施背面处理(蚀刻、抛光等)、切断加工处理等。
在半导体晶片表面形成有电路和电极等结构物。在进行上述背面研磨时,为了防止该结构物受到外伤而破损、或与研磨屑或研磨水接触而被污染,使用了预先在半导体晶片表面粘贴被称为背面研磨用粘着胶带的粘着胶带,在背面研磨后从半导体晶片剥离该胶带的方法。
为了在背面研磨中使研磨屑或研磨水不会侵入半导体晶片表面,背面研磨用粘着胶带在粘贴时必须充分密合于半导体晶片表面。另一方面,为了不使半导体晶片表面的结构物破损或污染,在背面研磨用粘着胶带剥离时必须容易地在粘着剂无残留(残胶)的情况下脱附。
另外,近年来,伴随着电子设备的小型化、高密度化,作为能够以最小面积安装半导体元件的方法,倒装芯片安装正成为主流。该安装方法中,在半导体元件的电极上形成由焊料、金构成的凸块,将该凸块与电路基板上的配线电接合。例如,在晶圆级封装的情况下,使用该凸块的高度高达250~350μm的带凸块的半导体晶片。
但是,带凸块的半导体晶片由于在其表面具有大的凹凸形状因此难以进行薄膜加工,如果使用通常的粘着胶带进行背面研磨,则容易产生(1)研磨屑或研磨水侵入,(2)半导体晶片破裂,(3)背面研磨后半导体晶片的厚度精度变差,(4)在研磨面产生凹痕(凹陷)这样的现象,因此在研磨带凸块的半导体晶片时,为了能够追随上述凸块的高度且吸收表面的凹凸,使用特别设计的表面保护胶带进行了背面研磨加工。进一步,由于想要使背面研磨后的晶片的抛光厚度更薄这样的要求也依然强烈,因此开发了具有更高性能的各种构成的半导体晶片的表面保护用粘着胶带、粘着片。
在专利文献1中,出于提供在表面的凹凸差大的被粘接体的背面加工时,为了粘贴于表面来保护表面而优选使用,特别是即使将被粘接体研磨至极薄也能够以均匀的厚度研磨,能够防止凹痕的产生那样的粘着片的目的,公开了一种半导体晶片的表面保护用粘着片,其为由基材、形成于该基材上的中间层以及形成于该中间层上的粘着剂层构成的粘着片,中间层在40℃时的弹性模量小于1.0×106Pa。
在专利文献2中,出于提供在将晶片的背面研磨至形成于晶片表面的凹凸的高低差以下时,能够实现保护晶片表面的凹凸、防止研磨屑、研磨水等侵入晶片表面、和防止研磨后的晶片破损的半导体晶片保护用粘着片的目的,公开了一种半导体晶片保护用粘着片,其为将基材、至少一层以上的中间层和粘着剂层依次层叠而成的半导体晶片保护用粘着片,该粘着片与半导体晶片的贴合温度为50℃~100℃,与该粘着剂层接触一侧的中间层在贴合温度下的损耗角正切(tanδ)为0.5以上,与该粘着剂层接触一侧的中间层在贴合温度下的损耗模量为0.005MPa~0.5MPa。
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