[发明专利]液晶高分子之金属化方法

说明书

本发明系揭露一种液晶高分子之金属化方法，首先，对液晶高分子材料进行硷处理，以清洁与粗化液晶高分子材料之表面。接着，对液晶高分子材料进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于液晶高分子材料之表面，并对此表面进行改质。再来，对液晶高分子材料进行还原处理，以还原金属离子为金属触媒。最后，配合金属触媒之催化活性，以化镀法形成一镍层或一镍合金层，以供一电镀铜层形成于镍层或镍合金层上。本发明不需额外使用物理方式处理液晶高分子材料之表面，而直接以湿制程进行处理，以利用镍提升铜箔之剥离强度。

技术领域

本发明系关于一种金属化方法，且特别关于一种液晶高分子之金属化方 法。

背景技术

液晶高分子(LCP)材料，具有耐酸硷与耐高温之特性，与聚亚酰胺(PI)比 较，则有较低的吸水性、介电常数与热膨胀系数，因此液晶高分子薄膜成为 主要高速传输用之软板基材之一。传统LCP软板是以铜箔高温压合方式制作， 压合温度接近LCP熔融温度，对生产良率不易掌握。

在中国台湾专利I607866中，揭露在液晶高分子基板上进行金属化流程， 其中液晶高分子材料需要经过多一道处理，即在表面形成含量0.01％以上C＝O 官能基，然后经过前处理、化镀铜及电镀铜流程完成金属化，制程所需时间 较长，成本较高。此外，高分子与金属介面藉由高温环境产生的扩散作用增 加两者间的附着力，化镀铜在高温环境下容易氧化形成氧化铜层，随氧化铜 层厚度增加则附着力下降，容易有铜箔与基材分离情形，在线路制作流程中 造成线路剥离或无法形成线路。在台湾专利I563886中，揭露以树脂中添加触 发粒子作为绝缘材料，以雷射方式活化孔内触发粒子，后续才可于孔内上镀 金属层，因为需要添加触发粒子，所以此制程同样所需时间较长，成本较高。 另一传统方式为溅镀法，先在基材上溅镀一导电层后，再以电镀方式制作铜 箔。如图1所示，此溅镀方式，可利用溅镀靶材10在液晶高分子材料12形成导 电层，然而在溅射原子多方向及多角度散射的影响下，在液晶高分子材料12 之非水平表面下不易形成均匀且连续的导电层，在微小盲孔14或通孔甚至形 成封孔情形。由于液晶高分子材料主要用于软性电路板制作，盲孔或通孔为线路制作之必要结构，主要功能在于双面或双层电路之导通，封孔造成孔内 导电层不均匀或无法导电，后续电镀铜将无法上镀。

因此，本发明系在针对上述的困扰，提出一种液晶高分子之金属化方法， 以解决习知所产生的问题。

发明内容

本发明的主要目的，在于提供一种液晶高分子之金属化方法，其系不需 额外使用物理方式处理液晶高分子材料之表面，而直接以湿制程进行处理， 以利用具有优秀抗氧化性之化镀镍提升铜箔之剥离强度，提供电镀铜形成所 需之厚度，同时缩短制程并降低成本。此外，湿制程的等向特性，可同时在 盲孔或通孔等非水平表面形成均匀之导电层。

为达上述目的，本发明提供一种液晶高分子之金属化方法，首先，对液 晶高分子材料进行硷处理，以清洁与粗化液晶高分子材料之表面。接着，对 液晶高分子材料进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于液晶高 分子材料之表面，并对此表面进行改质。再来，对液晶高分子材料进行还原 处理，以还原金属离子为金属触媒。最后，配合金属触媒之催化活性，以化 镀法形成一镍层或一镍合金层，以供一电镀铜层形成于镍层或镍合金层上。

在本发明之一实施例中，硷处理为将液晶高分子材料浸泡于浓度为 50～500克/升(g/L)之一硷处理剂中1～30分钟，且硷处理剂之温度为摄氏40～80 度。

在本发明之一实施例中，硷处理剂包含氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂 与氢氧化钙之至少其中之一者。

在本发明之一实施例中，活化处理为将液晶高分子材料浸泡于活化剂中 1～10分钟，且活化剂之温度为摄氏20～70度，活化剂之浓度为0.01～5克/升 (g/L)。

在本发明之一实施例中，金属离子为钯离子，活化剂包含氯化钯、二氯 二氨钯、二氯四氨钯、硫酸钯或二氨亚硝酸钯。