[发明专利]液晶高分子之金属化方法

权利要求书

1.一种液晶高分子之金属化方法，包含：

对液晶高分子材料进行硷处理，以清洁与粗化该液晶高分子材料之表面；

对该液晶高分子材料进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于该液晶高分子材料之该表面，并对该表面进行改质；

对该液晶高分子材料进行还原处理，以还原该金属离子为金属触媒；以及

配合该金属触媒之催化活性，以化镀法形成一镍层或一镍合金层，以供一电镀铜层形成于该镍层或该镍合金层上。

2.如权利要求1所述之液晶高分子之金属化方法，其中该硷处理为将该液晶高分子材料浸泡于浓度为50～500克/升(g/L)之一硷处理剂中1～30分钟，且该硷处理剂之温度为摄氏40～80度。

3.如权利要求2所述之液晶高分子之金属化方法，其中该硷处理剂包含氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂与氢氧化钙之至少其中之一者。

4.如权利要求1所述之液晶高分子之金属化方法，其中该活化处理为将该液晶高分子材料浸泡于该活化剂中1～10分钟，且该活化剂之温度为摄氏20～70度，该活化剂之浓度为0.01～5克/升(g/L)。

5.如权利要求4所述之液晶高分子之金属化方法，其中该金属离子为钯离子，该活化剂包含氯化钯、二氯二氨钯、二氯四氨钯、硫酸钯或二氨亚硝酸钯。

6.如权利要求1所述之液晶高分子之金属化方法，其中该还原处理为将该液晶高分子材料浸泡于浓度为2～100克/升(g/L)之一还原剂中1～10分钟，且该还原剂之温度为摄氏20～70度。

7.如权利要求6所述之液晶高分子之金属化方法，其中该还原剂包含次亚磷酸钠、次磷酸二氢钠、甲醛、硼氢化钠、二甲胺硼烷、联氨、葡萄糖与抗坏血酸之至少其中之一者。

8.如权利要求1所述之液晶高分子之金属化方法，其中该化镀法为将该液晶高分子材料浸泡于一化镀液中1～5分钟，且该化镀液之温度为摄氏30～70度。

9.如权利要求8所述之液晶高分子之金属化方法，其中该化镀液包含0.5～5重量百分比之水溶性镍盐、1～10重量百分比之蛰合剂、0.5～5重量百分比之还原剂、0.00001～0.01重量百分比之安定剂、0.005～0.1重量百分比之添加剂、3～10重量百分比之酸硷调整剂与其余重量百分比之水。

10.如权利要求1所述之液晶高分子之金属化方法，其中在形成该镍层或该镍合金层之步骤后，对该镍层或该镍合金层进行烘烤处理，以供该电镀铜层形成于该镍层或该镍合金层上。