[发明专利]带凹陷结构和凸结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备

说明书

本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；所述压电层设置有凹陷结构，所述凹陷结构具有内缘与外缘；且所述顶电极的端部设置有附加结构，所述附加结构具有内边界与外边界，所述附加结构为由凸起部形成的凸结构或者由邻接设置的凸起部和下凹部组成的凸凹结构。本发明还涉及一种具有上述谐振器的滤波器，以及具有上述谐振器或者滤波器的电子设备。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种带凹陷结构和凸结构的体声波谐振器、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该谐振器或者该滤波器的电子设备。

背景技术

近年来，基于硅材料的半导体器件、尤其是集成电路芯片取得了飞速的发展，已经牢牢占据了产业的主流地位。利用压电薄膜在厚度方向的纵向谐振所制成的薄膜体波谐振器，在无线通信系统中己成为声表面波器件和石英晶体谐振器的一个可行的替代。

如图1所示，薄膜体声波谐振器(FBAR，film bulk acoustic resonator) 包括：基底P00，位于基底上或嵌入基底的声反射结构P10(可以为空腔、布拉格反射层及其他等效结构)，位于声反射结构P10和基底P00之上的底电极P20，覆盖于底电极P20和基底P00上表面的压电层薄膜P30以及位于压电层之上的顶电极P40等，其中，声反射结构P10、底电极P20、压电层P30和顶电极P40 在厚度方向上的重合区域构成所述谐振器的有效声学区域AR，顶电极、压电层和底电极构成三明治结构。

当所述体声波谐振器处于理想工作状态时，只存在活塞模式声波在三明治结构中传播，并且这种振动模式的能量被限制在有效声学区域AR之内。然而，实际情况中，谐振器的三明治结构中不仅存在活塞模式的振动还存在横向传播的振动模式，后者的能量会沿横向由三明治结构中的压电层向三明治结构(AR 之内的电极和压电层组成的部分)之外的压电层及其它结构发生逸散(由箭头 PE所示意)，从而导致谐振器的品质因数(Q值)下降，从而使谐振器性能劣化。

发明内容

为缓解或解决现有技术中的上述问题，提出本发明。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极，设置在基底上方；

顶电极，具有电极连接部；和

压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，

其中：

所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；

所述压电层设置有凹陷结构，所述凹陷结构具有内缘与外缘；且

所述顶电极的端部设置有附加结构，所述附加结构具有内边界与外边界，所述附加结构为由凸起部形成的凸结构或者由邻接设置的处于外侧的凸起部和处于内侧的下凹部组成的凸凹结构。

可选的，所述凹陷结构的内缘与所述附加结构的内边界重合，或者所述凹陷结构的内缘位于所述附加结构的内边界的外侧。进一步的，在垂直投影中，所述凹陷结构的内缘或外缘与所述声学镜的边缘重合，或者所述声学镜的边缘位于所述凹陷结构的内缘与外缘之间，或者所述凹陷结构位于所述声学镜的边缘与所述附加结构的外边界之间，或者所述凹陷结构的内缘或外缘与所述附加结构的外边界重合，或者所述凹陷结构的内缘位于所述附加结构的内边界与外边界之间。

可选的，在垂直投影中，所述附加结构的内边界位于所述凹陷结构的内缘与外缘之间，或者所述凹陷结构的外缘与所述附加结构的内边界重合，或者所述凹陷结构的外缘位于所述附加结构的内边界的内侧。