[发明专利]半导体器件

说明书

半导体器件可以包括：从衬底突出的多个第一有源鳍，每个第一有源鳍在第一方向上延伸；从衬底突出的第二有源鳍；以及第一有源鳍上的多个相应的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)。每个第一FinFET包括在与第一方向垂直的第二方向上延伸的第一栅结构，并且第一栅结构包括第一栅绝缘层和第一栅电极。第一FinFET形成在衬底的第一区域上，并且具有第一金属氧化物层作为第一栅绝缘层，并且第二FinFET在衬底的第二区域上形成在第二有源鳍上，并且第二FinFET不包括金属氧化物层，而包括第二栅绝缘层，第二栅绝缘层的底表面与第一金属氧化物层的底表面位于同一平面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年5月23日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2018-0058220的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

示例实施例涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，示例实施例涉及包括具有各种电特性的晶体管在内的半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件形成在衬底上，并且半导体器件包括具有各种电特性的晶体管。每个晶体管通过简单的工艺形成且具有良好的特性是有益的。例如，与一些I/O器件相比，极薄栅氧化物高性能器件可以具有不同厚度的栅氧化物膜。然而，因为这两种器件通常在加工期间被同时加工，所以用于形成这些器件的现有工艺可能是复杂的，这可能对可靠性产生不利影响。

发明内容

示例实施例提供了一种包括具有各种电特性的晶体管在内的半导体器件。

根据一个实施例，一种半导体器件包括：从衬底突出的多个第一有源鳍，每个第一有源鳍在第一方向上延伸；从衬底突出的第二有源鳍；以及第一有源鳍上的多个相应的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)。每个第一FinFET包括在与第一方向垂直的第二方向上延伸的第一栅结构，并且第一栅结构包括第一栅绝缘层和第一栅电极。第一FinFET形成在衬底的第一区域上，并且具有第一金属氧化物层作为第一栅绝缘层，并且第二FinFET在衬底的第二区域上形成在第二有源鳍上，并且第二FinFET不包括金属氧化物层，而包括第二栅绝缘层，第二栅绝缘层的底表面与第一金属氧化物层的底表面位于同一平面。

根据一个实施例，一种半导体器件(可以是与前述实施例中描述的半导体器件相同的半导体器件)包括：从衬底的逻辑单元区域突出的多个第一有源鳍，每个第一有源鳍在第一方向上延伸；第一有源鳍上的多个第一鳍式场效应晶体管(FinFET)，其中，每一个第一FinFET包括在与第一方向垂直的第二方向上延伸的第一栅结构，并且第一栅结构包括第一栅绝缘层和第一栅电极，第一栅绝缘层包括金属氧化物层；从衬底的外围区域突出的多个第二有源鳍，每个第二有源鳍在第一方向上延伸；以及第二有源鳍中的第一鳍上的第二FinFET，其中，第二FinFET包括在第二方向上延伸的第二栅结构，并且第二栅结构包括第一氧化硅层和第二栅电极，第一氧化硅层形成第二栅绝缘层并且具有与第一栅绝缘层的厚度不同的厚度。每个第一FinFET的金属氧化物层分别与每个第一有源鳍相邻地形成，并且第一氧化硅层与第二有源鳍中的第一鳍相邻地形成。

根据一个实施例，一种半导体器件包括：从衬底突出的多个第一有源鳍，每个第一有源鳍在第一方向上延伸；从衬底突出的多个第二有源鳍，每一个第二有源鳍在第一方向上延伸；第一有源鳍上的多个第一鳍式场效应晶体管(FinFET)；第二有源鳍上的多个第二FinFET；以及第一栅结构，在与第一方向垂直的第二方向上延伸并且跨越所述多个第一FinFET和所述多个第二FinFET，其中，第一栅结构包括第一栅绝缘层和第一栅电极，第一栅绝缘层包括金属氧化物层。第一FinFET中的一个第一FinFET与第二FinFET的一个第二FinFET直接相邻，并且在这一个第一FinFET与这一个第二FinFET直接相邻的边界区域处，金属氧化物层中形成有间隙。

附图说明

图1、图2和图3是示出根据示例实施例的半导体器件的平面图和横截面图；