[发明专利]等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备

说明书

提供了一种等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备。该清洗液处理设备包括：气泡形成部，被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力，以在混合液体中形成气泡；等离子体发生器，连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在混合液体中的气泡中形成等离子体；混合部，连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中；以及排出喷嘴，连接到混合部并且被构造为将混合液体排出到晶圆。

本申请要于2018年7月13在韩国知识产权局提交的第10-2018-0081442号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及等离子体发生器、包括等离子体发生器的清洗液处理设备、半导体清洗设备、清洗液处理方法。

背景技术

清洗工艺在半导体器件的制造工艺中是必不可少的。这种清洗工艺旨在去除残留物，但是这会无意地损伤诸如半导体图案或电路图案(例如，金属膜图案)的有源区。这可以归因于包含硫酸或氢氟酸的清洗液导致金属膜的腐蚀或氧化的事实。此外，这种清洗液会造成环境污染。

因此，开发能够进行清洗同时防止和/或减少对半导体图案和/或金属图案的这种损坏的新清洗液是有益的。随着半导体技术的产生持续增加，因为半导体工艺的数量增加并且随后的清洗工艺的数量也增加，所以防止和/或减少对半导体图案和/或金属图案的损害的环境友好清洗液的开发将有助于工业的进步。

发明内容

本发明的方面提供了一种处理防止或减少对半导体元件的暴露的金属部分的损伤的清洗液的等离子体发生器。

本发明的方面还提供了一种防止或减少对半导体图案的清洗液处理设备。

本发明的方面还提供了一种防止或减少对半导体图案的损伤的半导体清洗设备。

本发明的方面还提供了一种防止或减少对半导体图案的损伤的清洗液处理方法。

本发明的方面不限于上述方面，并且本领域技术人员通过下面的描述可以清楚地理解未提及的其它方面。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种清洗液处理设备，该清洗液处理设备包括：气泡形成部，被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力，以在混合液体中形成气泡；等离子体发生器，连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在混合液体中的气泡中形成等离子体；混合部，连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中；以及排出喷嘴，连接到混合部并且被构造为将混合液体排出到晶圆。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种半导体清洗设备，该半导体清洗设备包括：腔室；卡盘，设置在腔室内部，卡盘被构造为容纳晶圆；清洗液处理设备，被构造为将清洗液注入到晶圆的上表面上，其中，清洗液处理设备包括：气泡形成部，被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力，以在混合液体中形成气泡；等离子体发生器，连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在气泡形成部中的气泡中形成等离子体；混合部，连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中以形成清洗液；以及排出喷嘴，连接到混合部并且被构造为将清洗液排出到晶圆。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种等离子体发生器，该等离子体发生器包括：绝缘壳体，在第一方向上移动，等离子体发生器被构造为使气体和液体混合以形成包括由绝缘壳体中的气体形成的气泡的混合液体，绝缘壳体被构造为使包含气泡的混合液体在第一方向上移动；以及等离子体电极，位于绝缘壳体内部并且被构造为向混合液体施加RF脉冲电压，等离子体电极包括第一电极和第二电极，第一电极连接到RF脉冲电源，第二电极与第一电极分隔开并且接地，其中，等离子体电极被构造为向气泡内部的气体施加电压以在气泡中形成等离子体。