[发明专利]被配置为限制泄漏电流的电平移位电路在审

专利信息
申请号: 201910107518.8 申请日: 2019-02-02
公开(公告)号: CN110166043A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 吴红兵 申请(专利权)人: 半导体组件工业公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 章蕾
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电平移位电路 供电端子 配置 电压电平 供电电压 输入端子 输出端子 泄漏电流 移位电路 节点处 供电电压电平 电压移位 电连接 响应
【说明书】:

发明涉及被配置为限制泄漏电流的电平移位电路。在一个一般方面,本发明公开的电平移位电路包括:第一供电端子,第一供电端子被配置为接收第一供电电压;第二供电端子,第二供电端子被配置为接收与所述第一供电电压不同的第二供电电压;电平移位电路的输入端子,输入端子被配置为接收具有第一电压电平的电压;以及电平移位电路的输出端子。所述电平移位电路可被配置为基于所述第二供电电压电平将所述电压移位到与所述第一电压电平不同的第二电压电平。所述电平移位电路可包括移位电路,所述移位电路具有到所述输入端子和所述输出端子的电连接,并且被配置为响应于在第一节点处的第一电压,而在第二节点处产生第二电压。

技术领域

本说明书涉及用于限制泄漏电流的电平移位电路的电路配置。

背景技术

电平移位电路可被配置为将低电压信号转换为高电压信号并且/或者将高电压信号转换为低电压信号。电平移位电路内的各种部件可易受非期望泄漏电流的影响。例如,在某种操作模式期间,与高供电电压相关联的电平移位电路的一部分可具有非期望的泄漏电平。在另一种操作模式期间,与低供电电压相关联的电平移位电路的另一部分可具有非期望的泄漏电平。因此,需要系统、方法和装置来解决现有技术的不足并提供其它新颖且创新的特征。

发明内容

在一个一般方面,电平移位电路包括:第一供电端子,其被配置为接收第一供电电压;第二供电端子,其被配置为接收与第一供电电压不同的第二供电电压;电平移位电路的输入端子,其被配置为接收具有第一电压电平的电压;以及电平移位电路的输出端子。电平移位电路可被配置为基于第二供电电压电平将电压移位到与第一电压电平不同的第二电压电平。电平移位电路可包括移位电路,其具有到输入端子和输出端子的电连接,并且被配置为响应于在第一节点处的第一电压,而在第二节点处产生第二电压。移位电路可包括反相器,其中反相器包括PMOS晶体管和NMOS晶体管,并且移位电路用于将第一电压电平移位到第二电压电平。电平移位电路还可包括具有到第一节点和第二节点的电连接的反馈电路,其中反馈电路被配置为保持反相器的PMOS晶体管处于断开状态。电平移位电路还可包括具有到第一节点的电连接的箝位电路,其中箝位电路被配置为在第一节点处限制电流。

在另一个一般方面,电平移位电路包括输入端子和输出端子,输入端子被配置为接收具有第一电压电平的输入电压。电平移位电路还可包括具有到输入端子的电连接的第一移位电路,以及具有到输出端子的电连接的第二移位电路。电平移位电路还可包括:第一电压供应端子,其被配置为接收用于第一移位电路的第一供电电压;以及第二电压端子,其被配置为接收用于第二移位电路的与第一供电电压不同的第二供电电压。电平移位电路还可包括在节点处具有到第二移位电路的电连接的箝位电路,其被配置为在节点处限制电流。

在另一个一般方面,方法包括在电平移位电路的第一电压供应端子处接收第一供电电压。方法还包括在电平移位电路的第二电压供应端子处接收与第一供电电压不同的第二供电电压。方法还包括在电平移位电路的输入端子处接收具有第一电压电平的电压。方法还包括基于第二供电电压将电平移位电路内的电压从第一电压电平移位到第二电压电平,由此使得第二电压电平下的电压位于电平移位电路的输出端子。方法还包括在与电平移位电路中包括的移位电路电连接的第一节点处接收第一电压,其中在第一节点处的第一电压基于第一电压电平下的电压;使用移位电路在第二节点处产生第二电压,并且移位电路包括晶体管。方法还可包括响应于在第一节点处接收第一电压,而使用反馈电路保持移位电路的晶体管处于断开状态,由此使得泄漏电流在第一节点处受到限制。

一个或多个实施方式的细节在随附附图和以下描述中阐明。其他特征将从说明书和附图中以及从权利要求书中显而易见。

附图说明

图1是示出示例性电平移位电路的框图。

图2是示出示例性移位电路和反馈电路的示意图。

图3是根据一些实施方式示出图1和图2所示的箝位电路的详细示例的示意图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体组件工业公司,未经半导体组件工业公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910107518.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top