[发明专利]被配置为限制泄漏电流的电平移位电路

权利要求书

1.一种电平移位电路，包括：

第一供电端子，所述第一供电端子被配置为接收第一供电电压；

第二供电端子，所述第二供电端子被配置为接收与所述第一供电电压不同的第二供电电压；

所述电平移位电路的输入端子，所述输入端子被配置为接收具有第一电压电平的电压；

所述电平移位电路的输出端子，所述电平移位电路被配置为基于所述第二供电电压电平将所述电压移位到与所述第一电压电平不同的第二电压电平；

移位电路，所述移位电路具有到所述输入端子和所述输出端子的电连接，并且被配置为响应于在第一节点处的第一电压，而在第二节点处产生第二电压，所述移位电路包括反相器，所述反相器包括晶体管，所述移位电路用于将所述第一电压电平移位到所述第二电压电平；

反馈电路，所述反馈电路具有到所述第一节点和所述第二节点的电连接并且被配置为保持所述反相器的所述晶体管处于断开状态；以及

箝位电路，所述箝位电路具有到所述第一节点的电连接并且被配置为在所述第一节点处限制电流。

2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其中：

所述反相器具有低电压阈值以及大于所述低电压阈值的高电压阈值，并且被配置为响应于在所述第一节点处的所述第一电压而在所述第二节点处产生所述第二电压的所述移位电路被进一步配置为：

响应于在所述第一节点处的所述第一电压小于所述反相器的所述低电压阈值而在所述第二节点处产生所述第二电压，所述第二电压大于所述第一电压；以及

响应于在所述第一节点处的所述第一电压大于所述反相器的所述高电压阈值而在所述第二节点处产生所述第二电压，所述第二电压小于所述第一电压。

3.根据权利要求2所述的电平移位电路，其中所述箝位电路具有到输入节点的电连接；

所述箝位电路被进一步配置为响应于在输入节点处小于所述移位电路的所述低电压阈值的小电压，而在所述第一节点处产生所述小电压。

4.根据权利要求1所述的电平移位电路，其中：

所述箝位电路包括肖特基势垒二极管、NMOS晶体管和电压供应端子，所述NMOS晶体管具有负阈值电压，所述电压供应端子被配置为向所述NMOS晶体管提供所述第一供电电压，所述箝位电路具有到输入节点的电连接，并且

响应于在所述输入节点处的所述第一供电电压，所述箝位电路被进一步配置为在所述第一节点处产生等于所述第一供电电压与跨所述肖特基势垒二极管的电压降之间的差值的电压。

5.根据权利要求4所述的电平移位电路，其中：

所述箝位电路的所述NMOS晶体管具有源极和漏极，

并且

响应于在所述第一节点处的所述电压大于在所述输入节点处的所述电压，所述NMOS晶体管处于接通状态并且在所述源极处的所述电压等于所述第一供电电压与所述NMOS晶体管的所述阈值电压的绝对值之和。

6.根据权利要求2所述的电平移位电路，其中被配置为保持所述反相器的所述晶体管处于所述断开状态的所述反馈电路被进一步配置为响应于在所述第一节点处的所述电压小于所述移位电路的所述高电压阈值而增加在所述第一节点处的所述电压，并且响应于在所述第一节点处的所述电压大于所述反相器的所述高电压阈值而保持在所述第一节点处的所述电压。

7.一种电平移位电路，包括：

输入端子，所述输入端子被配置为接收具有第一电压电平的输入电压；

输出端子；

第一移位电路，所述第一移位电路具有到所述输入端子的电连接；

第一电压供应端子，所述第一电压供应端子被配置为接收用于所述第一移位电路的第一供电电压；

第二移位电路，所述第二移位电路具有到所述输出端子的电连接；

第二电压端子，所述第二电压端子被配置为接收用于所述第二移位电路的与所述第一供电电压不同的第二供电电压，

所述电平移位电路被配置为基于所述第二供电电压将所述输入电压移位到与所述第一电压电平不同的第二电压电平；以及

箝位电路，所述箝位电路在节点处具有到所述第二移位电路的电连接并且被配置为在所述节点处限制电流。