[发明专利]用于微波真空电子器件的光电阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 201910106058.7 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN109830414A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘燕文;田宏;石文奇;朱虹;李芬;李云;王小霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;B22F7/02;B22F9/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碱金属源 制备 光电阴极 微波真空电子器件 锑扩散 锑粉 加热 压制 阴极 碱金属化合物 光电发射层 大气过程 活性物质 加热方式 金属粉末 使用寿命 蒸发损失 还原剂 加热体 扩散层 镍粉 受控 钨粉 暴露 恢复 | ||
1.一种用于微波真空电子器件的光电阴极，包括：
碱金属源；
锑扩散层，制备在所述碱金属源上；
加热体，设置于所述碱金属源下部，对所述碱金属源进行加热。
2.根据权利要求1所述的用于微波真空电子器件的光电阴极，其中，还包括：
外壁筒，套设于所述碱金属源和所述锑扩散层外，所述加热体伸入所述外壁筒。
3.根据权利要求1所述的用于微波真空电子器件的光电阴极，其中，所述外壁筒为金属筒，材料为钼和/或镍。
4.根据权利要求1所述的用于微波真空电子器件的光电阴极，其中，所述锑扩散层的制备材料包括：锑粉与镍粉和/或锑粉与钨粉。
5.根据权利要求1所述的用于微波真空电子器件的光电阴极，其中，所述碱金属源的制备材料包括：碱金属化合物、还原剂和金属粉末中的一种或多种。
6.一种用于微波真空电子器件的光电阴极的制备方法，其中，包括：
步骤S100：制备碱金属源，将碱金属化合物、还原剂和金属粉末进行压制；
步骤S200：在碱金属源上制备锑扩散层，将锑粉与镍粉和/或锑粉与钨粉在碱金属源上进行压制；
步骤S300：加热体对碱金属源下部进行加热。
7.根据权利要求6所述的用于微波真空电子器件的光电阴极的制备方法，其中，还包括外壁筒，所述碱金属源和所述锑扩散层均在外壁筒内制备；所述加热体伸入外壁筒内。
8.根据权利要求6所述的用于微波真空电子器件的光电阴极的制备方法，其中，所述外壁筒为金属筒，所述外壁筒的制备材料为钼和/或镍；加热体由外壁筒下部伸入外壁筒内，对碱金属源的下部进行加热。
9.根据权利要求6所述的用于微波真空电子器件的光电阴极的制备方法，其中，所述碱金属源的制备材料包括：金属铬酸盐、锆铝粉和钨粉中的一种或多种。
10.根据权利要求6所述的用于微波真空电子器件的光电阴极的制备方法，其中，所述加热体的制备材料包括：钨丝、钼丝和合金丝中的一种或多种。
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