[发明专利]一种耐高温柔性透明电极的制备方法在审
| 申请号: | 201910101073.2 | 申请日: | 2019-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN109860337A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
| 发明(设计)人: | 田艳红;黄亦龙;杭春进;王尚 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 高媛 |
| 地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 耐高温 柔性透明电极 金属纳米线 硬质基 制备 导电网络 金属氧化物保护层 高分子前驱体 表面涂覆金属 氧化物前驱体 热处理 表面包覆 表面平整 表面涂覆 分散液涂 高导电性 高稳定性 涂覆金属 高柔性 纳米线 包覆 交联 涂覆 固化 加热 剥离 镶嵌 | ||
1.一种耐高温柔性透明电极的制备方法,其特征在于所述方法包括如下步骤:
步骤一、将金属纳米线分散液涂覆在表面平整的硬质基底上,形成金属纳米线导电网络,得到表面涂覆金属纳米线导电网络的硬质基底;
步骤二、在表面涂覆金属纳米线导电网络的硬质基底上涂覆金属氧化物前驱体溶液,通过热处理使金属氧化物保护层包覆在金属纳米线表面,得到表面涂覆表面包覆金属氧化物保护层的金属纳米线导电网络的硬质基底;
步骤三、在表面涂覆表面包覆金属氧化物保护层的金属纳米线导电网络的硬质基底上涂覆耐高温高分子前驱体溶液,热固化后得到表面涂覆镶嵌有金属纳米线导电网络的耐高温高分子的硬质基底;
步骤四、将镶嵌有金属纳米线导电网络的耐高温高分子从硬质基底上剥离,制备得到耐高温柔性透明电极。
2.根据权利要求1所述的耐高温柔性透明电极的制备方法,其特征在于所述硬质基底为玻璃、单晶硅片和多晶硅片中的一种。
3.根据权利要求1所述的耐高温柔性透明电极的制备方法,其特征在于所述金属纳米线分散液的浓度为0.1~10 mg/ml。
4.根据权利要求1或3所述的耐高温柔性透明电极的制备方法,其特征在于所述金属纳米线为银纳米线、铜纳米线、覆银铜纳米线和金纳米线中的一种。
5.根据权利要求1所述的耐高温柔性透明电极的制备方法,其特征在于所述金属氧化物前驱体为二氧化钛前驱体、三氧化二铝前驱体、氧化锌前驱体和掺杂铝的氧化锌前驱体中的一种。
6.根据权利要求1所述的耐高温柔性透明电极的制备方法,其特征在于所述热处理温度在150~200 ℃范围内选取。
7.根据权利要求1所述的耐高温柔性透明电极的制备方法,其特征在于所述耐高温高分子前驱体为聚酰亚胺高分子前驱体或聚四氟乙烯高分子前驱体。
8.根据权利要求1所述的耐高温柔性透明电极的制备方法,其特征在于所述热固化采用分阶段加热的方法,加热温度在60 ~300 ℃范围内选取,固化时间在1~24 h。
9.根据权利要求1所述的耐高温柔性透明电极的制备方法,其特征在于所述表面镶嵌有金属纳米线导电网络的耐高温高分子从硬质基底上剥离采用在水中浸泡或是超声处理的方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





