[发明专利]聚酰亚胺硅极耳材料的制备工艺

权利要求书

1.一种聚酰亚胺硅极耳材料的制备工艺，其特征在于，具体包括以下步骤：

制备蜂窝状多孔聚酰亚胺；

硅、氧化亚硅、锂元化合物混合成混合粉末；

将所述混合粉末通过等离子气相法填充至蜂窝状多孔聚酰亚胺中得到沉积材料；

沉积材料通过碳沉积制备得到负极材料；

所述蜂窝状多孔聚酰亚胺的制备：

S1-1:以均苯四甲酸二酐、4，4’-二氨基二苯醚、二甲基乙酰胺、N-甲基-2吡咯烷酮、氟化合物为原料在氮气保护下溶解；

S1-2:将所述步骤S1-1得到的溶液，在氮气保护下搅拌并回流2-10h；

S1-3:通所述步骤S1-2回流后的溶液通过注射-压延成型制备成25～100μm的膜，40-80℃下干燥；

S1-4:将所述步骤S1-3干燥后的膜进行石墨化处理，处理温度为2500～3000℃，保温5-10h。

2.如权利要求1所述的聚酰亚胺硅极耳材料的制备工艺，其特征在于，所述混合粉末的制备过程为：

取高纯硅20～40份、氧化亚硅30～80份、锂元化合物2～10份，置于球磨机中球磨8～10h，球磨介质为氧化锆。

3.如权利要求1所述的聚酰亚胺硅极耳材料的制备工艺，其特征在于，将所述混合粉末通过等离子气相法填充至蜂窝状多孔聚酰亚胺中的具体步骤为：

S3-1：将所述混合粉末置于等离子处理器中，抽真空，通入喷射气体；

S3-2：开启等离子加热；

S3-3：冷却处理。

4.如权利要求1所述的聚酰亚胺硅极耳材料的制备工艺，其特征在于，所述碳沉积的具体步骤为：

将所述沉积材料放置于气相沉积炉中，通入碳源气体，气相喷射沉积。

5.如权利要求1所述的聚酰亚胺硅极耳材料的制备工艺，其特征在于，其锂元化合物为锂基无机化合物、锂基有机化合物中的一种或多种。

6.如权利要求3所述的聚酰亚胺硅极耳材料的制备工艺，其特征在于，所述步骤S3-1的条件为：真空度为10～150Pa,喷射气体为氩气，喷射流速为1～30m/s。

7.如权利要求3所述的聚酰亚胺硅极耳材料的制备工艺，其特征在于，所述步骤S3-2中等离子加热的条件为：温度为2000～3500℃，处理时间为10s～100s。

8.如权利要求4所述的聚酰亚胺硅极耳材料的制备工艺，其特征在于，所述气相喷射沉积的条件为：温度为600～1000℃，处理时间为100s～1000s。

9.如权利要求4所述的聚酰亚胺硅极耳材料的制备工艺，其特征在于，所述气相喷射沉积中的碳源气体为甲烷、乙炔、丙烯、天然气、煤气等中的一种或多种。