[发明专利]一种CVD法常压低温制备石墨烯的方法

权利要求书

1.一种CVD法低温常压制备石墨烯的方法，其特点在于将甲烷常压下通过催化剂处理，生产高选择性的一氯甲烷，通过一氯甲烷裂解制备石墨烯，

所述方法包括如下步骤:

(1)将浓度为80％-90％正磷酸与纯异丙醇铝混合制备成混合溶液，再将质量百分浓度为20％-30％的二氧化硅水溶胶加入溶液中，经结晶沉淀、分离、干燥、煅烧，制得催化剂；

(2)将催化剂从室温加热至200-400℃，以5-10:1的比例通入甲烷–氯气混合物，催化剂空速为1-20h^-1，生成CH₃Cl；

(3)将铜箔先后在稀醋酸，丙酮和异丙醇中各超声洗涤10-15min，将SiO₂/Si片用丙酮和异丙醇各超声洗涤20-25min，然后将洗净的SiO₂/Si片放进高真空磁控离子溅射仪中溅射铜箔，将溅射好的铜箔置于带有磁石手柄的石英托盘上，打开混气系统并依次调节CVD中所需要的CH₃Cl、H₂气体流量，保持CH₃Cl与H₂流量比为2-10:1；

(4)以金属铜箔片为基底，在表面均匀旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯，将旋涂后的铜箔放在恒温加热搅拌器上加热至150-250℃，CH₃Cl在铜箔表面裂解，裂解时间为1s-60min，即可在铜箔表面生长石墨烯。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(1)中煅烧温度为250-350℃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(1)中正磷酸:异丙醇铝:二氧化硅＝5-10:2-5:1。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(2)中催化剂的升温速率为2-12℃/min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于上述步骤中均在常压下操作。