[发明专利]一种基于衬底偏置的FVF双环路LDO电路

权利要求书

1.一种基于衬底偏置的FVF双环路LDO电路，其特征在于，包括偏置电路、控制电路和负载电路,所述偏置电路与所述控制电路连接，所述控制电路与所述负载电路连接，其中，所述偏置电路产生与电源无关的偏置电流，并将稳定的电流提供给所述控制电路，所述控制电路通过衬底偏置和双环路的特性控制输出电压V_out保持稳定，并将稳定的输出电压提供给负载电路，所述负载电路对输出电压进行消耗；

所述偏置电路包括CMOS晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9和电阻R_s，其中M1、M2、M6是PMOS管，M3、M4、M5、M7、M8、M9是NMOS管；M1的漏极和M3的漏极连接，栅极与M2的栅极连接，源极与VDD连接；M2的漏极与M4的漏极连接，栅极与M1的栅极连接，源极与VDD连接；M3的漏极与M1的漏极连接，栅极与漏极连接，栅极与M4的栅极连接，源极与地GND连接；M4的漏极与M2的漏极连接，栅极与M3的栅极连接，源极与R_s一端连接；M5的漏极与M2的栅极连接，栅极与漏极连接，同时与M6的栅极连接，源极与M4的栅极连接；电阻R_s一端与M4的源极连接，一端接地；M6的漏极与M7的漏极连接，栅极与M2的漏极连接，源极与VDD连接；M7的漏极与M6的漏极连接，栅极与漏极连接，源极与M8的漏极连接；M8的漏极与M7的源极连接，栅极与漏极连接，源极与M9的漏极连接；M9的漏极M8的源极连接，栅极与漏极连接，源极与地GND连接；

所述控制电路包括CMOS管M10、M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19、M20、M21、MP，其中M10、M12、M13、M14、M16、M18、M19、M20是NMOS管，M11、M15、M17、M21、MP是PMOS管，M10的漏极与M17的漏极连接，栅极与M9的栅极连接，源极与地GND连接；M11的漏极与M12的漏极连接，栅极与M2的漏极连接，源极与VDD连接；M12的漏极与M11的漏极连接，栅极与M8的栅极连接，源极与M10的漏极连接；M13的漏极与VDD连接，栅极与M11的漏极连接，源极与M14的漏极连接；M14的漏极与M13的源极连接，栅极与漏极连接，同时与M16的栅极连接，源极与地GND连接；M15的漏极与M16的漏极连接，栅极与漏极连接，源极与VDD连接；M16的漏极与M15的漏极连接，栅极与M14的栅极连接，源极与地GND连接；M17的漏极与M10的漏极连接，栅极与M7的栅极连接，源极与V_out连接；M18的漏极、栅极与V_out连接，源极与M19的漏极连接；M19的漏极与M18的源极连接，栅极与V_out连接，源极与地GND连接；M20的漏极与M21的漏极连接，栅极与M19的漏极连接，源极与地GND连接；M21漏极、栅极与M20漏极连接，栅极与MP衬底连接，源极与VDD连接；MP的漏极与连接，栅极与M16的漏极连接，源极与VDD连接；

所述负载电路包括负载电容C_L和负载电阻R_L，所述负载电容C_L的两端分别与地GND和V_out连接；负载电阻R_L的两端分别与地GND和V_out连接。