[发明专利]一种基于PVD技术的高纯块体金属纳米材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910073449.3 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109811309A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陈汪林;颜安;王成勇;李炳新 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/50;C23C14/54;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 块体金属 纳米材料 高纯 靶材 制备 制备方法和应用 氮气流量 基体偏压 沉积 断裂韧性 核心工艺 力学性能 组织致密 变压 正对 转架 优化 | ||
1.一种基于PVD技术的高纯块体金属纳米材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：将基片设置于PVD设备转架上，控制靶材工作面与基片正对，且两者的距离为7~50cm；
S2：控制靶材电流密度为150~300 A，基体偏压为0~-40 V，氮气流量为0 sccm，沉积时间10~30 h，即得所述高纯块体金属纳米材料；
所述高纯块体金属纳米材料为Ti、Al、Cr、Cu、Ni、TiAl合金、CrAl合金、CrTiAl合金或TiSi合金。
2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中所述基片为金属基片或导电非金属基片。
3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述靶材工作面与基片的距离为7~25 cm。
4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述靶材电流密度为200~250 A。
5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述基体偏压为-10~-20 V。
6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，PVD炉内真空度小于1´10-3 Pa；氩气流量为50～200 sccm；氩离子刻蚀偏压为-300～-900 V。
7.一种高纯块体金属纳米材料，其特征在于，通过权利要求1~6所述制备方法制备得到。
8.根据权利要求7所述高纯块体金属纳米材料，其特征在于，所述高纯块体金属纳米材料的厚度不小于1.0 mm。
9.根据权利要求7所述高纯块体金属纳米材料，其特征在于，所述高纯块体金属纳米材料的纯度不小于99.9%。
10.权利要求7所述高纯块体金属纳米材料在国防、电子、冶金、轻工、航天航空或陶瓷领域中的应用。
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