[发明专利]全氮化钒集流体/电极超级电容器及其制备方法有效
| 申请号: | 201910060755.3 | 申请日: | 2019-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN109659157B | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
| 发明(设计)人: | 周大雨;孙纳纳;杨旭;马晓倩 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
| 主分类号: | H01G11/28 | 分类号: | H01G11/28;H01G11/30;H01G11/68;H01G11/84;H01G11/86 |
| 代理公司: | 21200 大连理工大学专利中心 | 代理人: | 李晓亮;潘迅 |
| 地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集流体 超级电容器 电极 电极材料 氮化钒 制备 薄膜 附着力 热膨胀系数差异 薄膜沉积工艺 薄膜沉积技术 沉积工艺参数 衬底表面杂质 器件技术领域 导电性 服役可靠性 工艺适用性 集流体材料 新能源材料 薄膜表面 衬底表面 电子输运 高导电性 接触电阻 晶格失配 热稳定性 疏松多孔 形核生长 原子扩散 生长 异类 沉积 分层 去除 剪裁 清洗 调控 | ||
一种全氮化钒集流体/电极超级电容器及其制备方法,属于新能源材料与器件技术领域。首先,清洗去除衬底表面杂质;然后在衬底表面沉积一层具有高致密度、高导电性的VN薄膜作为电子输运集流体材料,再通过调控沉积工艺参数改变薄膜表面原子扩散和形核生长等机制,在集流体上直接继续生长一层疏松多孔、低导电性的VN薄膜作为电极材料。本发明集流体和电极同为VN连续生长,通过简单地改变薄膜沉积工艺参数对材料的性能进行剪裁,工艺简便易行、成本低,薄膜沉积技术选择种类多、工艺适用性强,解决了异类集流体和电极材料间附着力差、晶格失配和热膨胀系数差异导致分层开裂以及接触电阻大的问题,将极大提高超级电容器的功率密度、热稳定性和长期服役可靠性。
技术领域
本发明属于新能源材料与器件技术领域,涉及一种全氮化钒集流体/电极超级电容器及其制备方法。
背景技术
超级电容器具有能量和功率密度高、充放电循环寿命长、工作温度范围宽、免维修和环保无污染等显著优点,作为新型的绿色电能存储方式得到人们的广泛关注。近年来,无线物联网中的各种传感器系统、以及可穿戴式和植入式医学器件的研究和普及应用迅猛发展,这些低功耗电子设备对超级电容器的研发提出了微型轻量化、薄膜化以及与其他电子元器件全单片集成化的迫切需求。
超级电容器按储能机理不同可分为两大类,一种是双电层电容器是靠电解液与电极界面上形成的双电层结构来存储电能;另一种是赝电容电容器是由电解液与电极之间发生氧化还原反应产生电荷转移存储能量。超级电容器主要有集流体、电极和电解液组成,其中电极材料和集流体是决定其电化学性能的关键因素。
目前,常见的电极材料主要有碳基材料、硅基材料、金属氧化物和导电聚合物等。这些材料一般采用直接沉积或与导电剂、粘结剂混合后涂覆到Au、Cu 或泡沫镍等金属集流体上。电极材料的功能是利用双电层或者赝电容效应实现电荷的存储和释放,而集流体的功能是输运电子以及连接充放电电路。由于电极与集流体为不同种类的材料,异类材料间附着力差,同时晶格失配和热膨胀系数差异会导致分层开裂以及接触电阻大,这些问题严重限制了超级电容器的倍率特性、频率响应和功率密度等性能提升。VN薄膜具有熔点高、硬度大、耐磨损,抗氧化、耐腐蚀以及较大的比电容等优秀的理化性质,成为一种新型的超级电容器电极材料。但在目前研究所制备的超级电容器中上述薄膜既作为电极材料又同时作为集流体,由于薄膜具有较高的电阻率,同样导致了频率响应 (倍率)特性较差的问题。
基于上述问题,本申请提出一种全新的超级电容器制备方法:首先在衬底上沉积高导电性(ρ<500μΩ.cm)VN薄膜作为电子输运集流体,随后通过简单调整沉积工艺参数在集流体上直接继续生长多孔结构、高电阻率(ρ>1000 μΩ.cm)VN薄膜作为电极材料。该技术方法具有以下优点:集流体和电极同为 VN连续生长,通过简单地改变薄膜沉积工艺参数对材料的性能进行剪裁,工艺简便易行、成本低,薄膜沉积技术选择种类多、工艺适用性强,解决了异类集流体和电极材料间附着力差、晶格失配和热膨胀系数差异导致分层开裂以及接触电阻大的问题,将极大提高超级电容器的功率密度、热稳定性和长期服役可靠性。
发明内容
本发明的目的在于为超级电容器提供一种氮化钒集流体/电极材料及其制备方法。集流体和电极同为VN连续生长,通过简单地改变薄膜沉积工艺参数对材料的性能进行剪裁。该技术工艺简便易行、成本低,薄膜沉积技术选择种类多、工艺适用性强。
为了达到上述目的,本发明的技术方案为:
一种全氮化钒集流体/电极超级电容器,所述的超级电容器结构为三明治结构、平面叉指结构或3D纳米结构,超级电容器的正、负两端可以采用对称式也可以采用非对称式结构。所述的对称式结构为电容器正、负两端均采用全VN 集流体/电极材料;非对称式结构为电容器正、负两端采用不同的材料,其中一端采用全VN集流体/电极材料,另一端可以采用其它常用的超级电容器电极或集流体材料,其中常用的超级电容器电极材料为碳材料、硅基材料、金属氧化物材料或导电聚合物等;常用的集流体为金、铜、钛、铂或泡沫镍等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910060755.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





