[发明专利]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件有效
| 申请号： | 201910056543.8 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109634025B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 赵东 | 申请（专利权）人： | 湖北科技学院 |
| 主分类号： | G02F3/02 | 分类号： | G02F3/02 |
| 代理公司： | 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 | 代理人： | 汪彩彩;阳会用 |
| 地址： | 437100 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 开关 存储器 光学 双稳态 器件 | ||
1.一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，本光学双稳态器件为八个电介质层一(A)、八个电介质层二(B)和十五个石墨烯层(G)组成的多层结构，且本光学双稳态器件由上表面至下表面依次为电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)、石墨烯层(G)、电介质层二(B)、石墨烯层(G)、电介质层一(A)；所述电介质层一(A)的材料为MgF2晶体，所述电介质层二(B)的材料为ZnS晶体；
在石墨烯层(G)上加电极，通过控制石墨烯的化学势来调控光学双稳态的上、下阈值和阈值间隔，即控制全光开关的开、关阈值和阈值间隔。
2.根据权利要求1所述一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，所述电介质层一(A)的厚度为da＝0.281μm，折射率为na＝1.38。
3.根据权利要求1所述一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件，其特征在于，所述电介质层二(B)的厚度为db＝0.165μm，折射率为na＝2.35。
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