[发明专利]重编程培养基及重编程诱导多能干细胞的培养方法

权利要求书

1.一种重编程培养基，其特征在于，所述重编程培养基由DMEM-F12基础培养基和添加成分组成，所述添加成分包括60μg/mL-180μg/mL的L-抗坏血酸、5.3μmol/L-74μmol/L的氢化可的松、3ng/mL-89ng/mL的亚硒酸钠、8μmol/L-23μmol/L的Optiferrin、0.5μmol/L-7.4μmol/L的视黄醇乙酸酯、40ng/mL-60ng/mL的植物源重组人碱性生长因子、8μg/mL-12μg/mL的IGF、0.2μmol/L-0.6μg/mL的A-83、2μmol/L-6μmol/L的CHIR99021以及100μmol/L-450μmol/L的丁酸钠。

2.根据权利要求1所述的重编程培养基，其特征在于，所述添加成分包括70μg/mL-90μg/mL的L-抗坏血酸、40μmol/L-60μmol/L的氢化可的松、10ng/mL-30ng/mL的亚硒酸钠、8μmol/L-12μmol/L的Optiferrin、3μmol/L-6μmol/L的视黄醇乙酸酯、45ng/mL-55ng/mL的植物源重组人碱性生长因子、8μg/mL-12μg/mL的IGF、0.3μmol/L-0.5μg/mL的A-83、3μmol/L-5μmol/L的CHIR99021以及280μmol/L-410μmol/L的丁酸钠。

3.根据权利要求2所述的重编程培养基，其特征在于，所述添加成分包括80μg/mL的L-抗坏血酸、50μmol/L的氢化可的松、20ng/mL的亚硒酸钠、10μmol/L的Optiferrin、4μmol/L的视黄醇乙酸酯、50ng/mL的植物源重组人碱性生长因子、10μg/mL的IGF、0.4μg/mL的A-83、4μmol/L的CHIR99021以及400μmol/L的丁酸钠。

4.一种重编程诱导多能干细胞的培养方法，其特征在于，利用成体细胞采用权利要求1至3任一项所述的重编程培养基进行重编程培养。

5.根据权利要求4所述的重编程诱导多能干细胞的培养方法，其特征在于，所述成体细胞为脐带来源人间质细胞、人CD34+细胞或人皮肤成纤维细胞。

6.根据权利要求5所述的重编程诱导多能干细胞的培养方法，其特征在于，包括如下步骤：

重编程采用Epi5 Reprogramming Kit，将成体细胞重悬于电转化试剂盒中提供的Resuspension Buffer中，电转，得电转后的细胞；

将电转后的细胞打入Matrigel包被培养板的孔内，利用权利要求1至3任一项所述的重编程培养基置于温度37±0.5℃、5％二氧化碳环境中进行培养，培养过程中，每天半换液至电转后的第十天，从第十天开始每隔一天换液一次，直至第28天。

7.根据权利要求5所述的重编程诱导多能干细胞的培养方法，其特征在于，包括如下步骤：

重编程使用CytoTune^TM-iPS 2.0 Sendai Reprogramming Kit，按照2×10⁶细胞、MOI＝5的比例进行病毒转导，病毒加入后，置于温度37±0.5℃、5％二氧化碳环境中孵育12-16h，第二天开始将培养基更换为权利要求1至3任一项所述的重编程培养基，培养至第28天。

8.根据权利要求5所述的重编程诱导多能干细胞的培养方法，其特征在于，包括如下步骤：

重编程使用Simplicon^TMRNA Reprogramming Kit，再利用权利要求1至3任一项所述的重编程培养基，将细胞培养至第28天。