[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、电容式内嵌触摸屏在审
申请号: | 201910043748.2 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN109799925A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 龙跃;高永益;黄炜赟;王杨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 触控电极 导电线 信号线 触控电极层 平行设置 信号线层 触摸屏 电容式 同材料 并联 内嵌 同层 制备 生产过程 信号延迟 触控 良率 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、电容式内嵌触摸屏,该阵列基板包括:信号线层及触控电极层,所述信号线层包括多条平行设置的信号线,所述触控电极层包括多条平行设置的触控电极;所述阵列基板还包括:与所述信号线同层同材料设置的导电线,其中,所述多条触控电极中的全部或部分触控电极与所述导电线并联。本发明中,在阵列基板上设置与触控电极并联的导电线,从而能够避免触控电极的信号延迟,提高触控性能,且导电线与阵列基板的信号线同层同材料设置,能够尽量降低生产成本及生产过程中的良率风险。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、电容式内嵌触摸屏。
背景技术
电容式触摸屏以其更薄,透光率更高,稳定性更强,支持多点触控等优点,成为当下主流的触摸屏。其中,内嵌(In-cell)模式可以让电容式触摸屏更薄,透光率更高。但是由于电容式触摸屏的触控部分和显示部分往往需要分时驱动,信号延迟(loading)成为制约触控和显示性能的重要因素。
电容式内嵌触摸屏包括通常包括绝缘设置的触控驱动电极层和触控感应电极层,触控驱动电极层包括多条触控驱动电极TX,触控感应电极层包括多条触控感应电极RX,Rx和Tx交叉设置,通常情况下,Rx和Tx都是由铟锡金属氧化物(ITO,Indium Tin Oxides)构成。由于ITO本身电阻较大,加上实际沉积时ITO层较薄,所以用ITO制成的Rx和Tx通常阻抗都较大,在触控部分与显示部分分时驱动时,容易造成信号延迟,影响触摸屏的性能。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种阵列基板及其制备方法、电容式内嵌触摸屏,能够在提高触控性能同时,降低生产成本以及生产过程中的良率风险。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供一种阵列基板,包括:信号线层及触控电极层,所述信号线层包括多条平行设置的信号线,所述触控电极层包括多条平行设置的触控电极;还包括:
与所述信号线同层同材料设置的导电线,所述多条触控电极中的全部或部分触控电极与所述导电线并联。
优选地,所述导电线通过至少两个过孔与对应的所述触控电极并联。
优选地,所述触控电极层为触控驱动电极层或触控感应电极层。
优选地,所述触控电极层为交叉绝缘设置的触控驱动电极层和触控感应电极层。
优选地,所述信号线层为下述至少一层:栅线层、数据线层。
优选地,所述导电线包括下述至少之一:与栅线同层同材料设置且与栅线平行的第一导电线、与栅线同层同材料设置且与栅线垂直的第二导电线、与数据线同层同材料设置且与数据线平行的第三导电线以及与数据线同层同材料设置且与数据线垂直的第四导电线。
优选地,所述信号线层为透明导电电极层,所述透明导电电极层为公共电极层或像素电极层。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法,包括形成触控电极层的步骤,所述触控电极层包括多条平行设置的触控电极,所述方法还包括:
形成导电线的步骤,其中,所述导电线与所述阵列基板的信号线层上的信号线同层同材料形成,所述多条触控电极中的全部或部分触控电极与所述导电线并联。
优选地,所述方法还包括:
形成至少两个过孔的步骤,所述至少两个过孔用于连接所述导电线和与其并联的所述触控电极。
本发明还提供一种电容式内嵌触摸屏,包括上述阵列基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
在阵列基板上设置与触控电极并联的导电线,从而能够避免触控电极的信号延迟,提高触控性能,且导电线与阵列基板的信号线同层同材料设置,能够尽量降低生产成本及生产过程中的良率风险。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910043748.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。