[发明专利]偏振器、光学设备、显示设备和制备偏振器的方法

说明书

本申请提供了偏振器，包括基板和基板上的多个条形栅格线。每个栅格线可以包括吸光层和反射层，反射层位于吸光层和基板之间，并且吸光层可以包括氧化物，其含有钼(Mo)、钨(W)或钼和钨的组合。本申请还提供了包括该偏振器的光学设备、包括该偏振器的显示设备和制备该偏振器的方法。

相关申请的交叉引用

于2018年1月31日在韩国知识产权局提交的名称为“偏振器、包括偏振器的光学设备、包括偏振器的显示设备和制备偏振器的方法”的韩国专利申请第10-2018-0012026号通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本申请的实施方式涉及偏振器、包括偏振器的光学设备、包括偏振器的显示设备和制备偏振器的方法。

背景技术

在各种类型的偏振器中，线栅偏振器(WGP)包括基板(例如，透明基板)和基板上的栅格线(或光栅线)。例如，WGP的栅格线可以被布置成使得栅格线之间的间隙短于入射光的波长。在来自入射到WGP上的光源的光中，其中电场在与栅格线平行的方向上振动的光可以被WGP反射，而其中电场在与栅格线垂直的方向上振动的光可以穿过WGP。因此，WGP可以将来自光源的入射光转换成偏振光。WGP可以用于使用偏振光的各种光学设备，也可以用于其中使用偏振光实现显示的各种显示设备。因此，WGP可以以各种方式应用。

发明内容

本发明的实施方式涉及一种偏振器，包括：基板；和所述基板上的多个条形栅格线。每个所述栅格线可以包括吸光层和反射层，所述反射层位于所述吸光层和所述基板之间，并且所述吸光层可以包括氧化物，所述氧化物含有钼(Mo)、钨(W)或钼和钨的组合。

所述氧化物可以为MoO_x或WO_y，其中x和y各自为约1至约5范围内的实数，且x可以不为3。

所述氧化物可以进一步包括除了Mo和W之外的第二元素。所述第二元素可以满足以下条件：所述第二元素的卤化物的挥发温度为100℃或更低。

所述第二元素可以为IVB族元素、VB族元素、VIB族元素、IVA族元素或它们的组合。

所述第二元素可以为VB族元素。

所述氧化物可以进一步包括钛(Ti)、锆(Zr)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、(Db)、钨(W)、锗(Ge)或它们的组合。

基于所述氧化物中钼、钨、所述第二元素和氧(O)的100at％的总量，所述氧化物中所述第二元素的含量可以在约0.01原子百分比(at％)至约10at％的范围内。

所述反射层可以包括铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、铂(Pt)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、铁(Fe)或它们的组合。

所述反射层可以包括铝(Al)、银(Ag)或它们的组合。

所述反射层可以进一步包括镍(Ni)、钛(Ti)或它们的组合。

所述反射层可以包括铝(Al)和镍(Ni)，并且基于所述反射层的100at％，所述镍的含量可以在约0.01at％至约0.2at％的范围内。

所述反射层可以进一步包括镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、钌(Ru)或它们的组合。

折射率控制层可以位于所述吸光层上。

所述折射率控制层可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

本申请的实施方式还涉及包括根据实施方式的偏振器的光学设备。