[发明专利]一种适用于电平转换芯片的自选择偏置电路

权利要求书

1.一种适用于电平转换芯片的自选择偏置电路，其特征在于，包括：双端电源电压比较模块、低压选择模块、高压选择模块和栅端驱动模块；其中：

所述双端电源电压比较模块、低压选择模块和高压选择模块分别与输入电源和输出电源相连；

所述双端电源电压比较模块用于比较所述输入电源和输出电源的电压大小，并输出比较结果，其中，所述比较结果为高电平信号和低电平信号，所述双端电源电压比较模块向所述低压选择模块输出所述高电平信号和所述低电平信号，所述双端电源电压比较模块向所述高压选择模块输出所述高电平信号和所述低电平信号；

所述低压选择模块用于根据所述比较结果选择所述输入电源和输出电源中较低的电压通过第一节点连通至所述栅端驱动模块；

所述高压选择模块用于根据所述比较结果选择所述输入电源和输出电源中较高的电压通过第二节点连通至所述栅端驱动模块；

所述栅端驱动模块用于驱动第一晶体管的栅端电压。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述双端电源电压比较模块包括：第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第一反相器、第二反相器和第三反相器；其中：

所述第二晶体管的第一端与所述输入电源相连，所述第二晶体管的第二端接地，所述第二晶体管的第三端与所述第三晶体管的第三端相连，所述第二晶体管的第二端与第三端相连；

所述第三晶体管的第二端接地，所述第三晶体管的第一端所述第五晶体管的第一端相连；

所述第五晶体管的第二端与所述输入电源相连，所述第五晶体管的第三端与所述第六晶体管的第三端相连，所述第五晶体管的第一端与第三端相连；

所述第六晶体管的第二端与所述输出电源相连，所述第六晶体管的第一端与所述第四晶体管的第一端相连；

所述第六晶体管的第一端与所述第四晶体管的第一端相连的中点与所述第一反相器的第一端以及所述第三反相器的第一端相连，所述第一反相器的第二端与所述第二反相器的第一端相连，所述第一反相器的第三端与所述输出电源相连；

所述第二反相器的第二端与所述低压选择模块相连，所述第二反相器的第三端与所述输出电源相连；

所述第三反相器的第二端与所述低压选择模块相连，所述第三反相器的第三端与所述输入电源相连；

所述第二晶体管的第三端与所述第三晶体管的第三端以及所述第四晶体管的第三端相连；

所述第三晶体管的第三端与所述第四晶体管的第三端相连。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述低压选择模块包括：第一场效应管和第二场效应管；其中：

所述第一场效应管的栅极与所述第三反相器的第二端相连，所述第一场效应管的漏极与所述输入电源相连，所述第一场效应管的源极与所述第二场效应管的源极相连；

所述第二场效应管的栅极与所述第二反相器的第二端相连，所述第二场效应管的漏极与所述输出电源相连；

所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极与所述栅端驱动模块相连。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述高压选择模块包括：第三场效应管和第四场效应管，其中：

所述第三场效应管的栅极与第一电平信号输入端相连，所述第三场效应管的漏极与所述输入电源相连，所述第三场效应管的源极与所述第四场效应管的源极相连；

所述第四场效应管的栅极与第二电平信号输入端相连，所述第四场效应管的漏极与所述输出电源相连；

所述第三场效应管的源极与所述第四场效应管的源极相连的中点与所述栅端驱动模块相连。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述栅端驱动模块包括：第四反相器、第七晶体管、电阻、第八晶体管和电容；其中：

所述第四反相器的第一端与使能信号输入端相连，所述第四反相器的第二端与所述第七晶体管的第三端相连，所述第四反相器的第三端与所述第七晶体管的第二端相连；

所述第七晶体管的第二端与所述第三场效应管的源极与所述第四场效应管的源极相连的中点相连，所述第七晶体管的第一端与所述电阻的第一端相连；

所述电阻的第二端分别与所述第八晶体管的第二端、电容的第一端和第一晶体管的第三端相连；

所述第八晶体管的第三端分别与所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极相连，所述第八晶体管的第一端接地；

所述电容的第一端与所述电阻第二端与所述第八晶体管第二端的连接中点相连，以及与所述第一晶体管的第三端相连，所述电容的第二端接地。