[发明专利]一种中近距离的半导体激光补光源

权利要求书

1.一种中近距离的半导体激光补光源，其包括：半导体激光二极管（1）、光束整形镜（2）、微透镜阵列MLA镜片单元（3）、驱动电路（4），驱动电路为半导体激光二极管电提供驱动电能，半导体激光二极管发出的激光经过光束整形镜进行修整后，通过微透镜阵列MLA镜片单元进行匀化，其特征在于：所述驱动电路包括电源（J1）、光敏电阻（J2）、电流控制芯片（U1）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）、第五电阻（R5）、第六电阻（R6）、第一电感（L1）、第一电容（C1）、第三电容（C3）、第四电容（C4）；所述电流控制芯片是PT4115，电流从电源正极依次经过第二二极管、并联的第五电阻和第六电阻、半导体激光二极管、第一电感、电流控制芯片第一端、第二端、电源负极，电源负极接地；在第二二极管的电流输出端和电源负极之间并联第一电容、第四电容；在第一电感的电流输出端接入第一二极管，使电流流入电流控制芯片第五端，而第五端连接第五电阻的电流输入端来续流；第三电容与半导体激光二极管并联；在第二二极管的电流输出端和电源负极之间并联光敏电阻。

2.根据权利要求1所述的中近距离的半导体激光补光源，其特征在于：该半导体激光补光源还设有随动单元，其包括：第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第七电阻（R7）、第二电容（C2）、三极管（Q1）、模拟调光器（J4）；所述三极管的集电极连接第二二极管的输出端，基极通过第七电阻连接到光敏电阻的第二端，光敏电阻的第一端接地，在光敏电阻的第二端和集电极之间设置第一电阻，发射极通过第四电阻后接地，在电流控制芯片第三端和发射极之间设置第二电阻，电流控制芯片第三端通过第三电阻后接地，模拟调光器第一端连接电流控制芯片第三端后通过第二电容接地，模拟调光器第二端与电流控制芯片第二端连接后接地。

3.根据权利要求2所述的中近距离的半导体激光补光源，其特征在于：该半导体激光补光源还包括散热器（5）、隔离罩（6），所述光束整形镜设置在所述半导体激光二极管的发光区的正前方并通过紫外胶与所述半导体激光二极管固定连接，所述MLA镜片单元通过镜托固定并设在所述光束整形镜的正前方，半导体激光二极管、光束整形镜子、镜托均在所述散热器内，MLA镜片单元露出散热器并被隔离罩盖住。

4.根据权利要求3所述的中近距离的半导体激光补光源，其特征在于：所述隔离罩的表面镀有增透膜。

5.根据权利要求4所述的中近距离的半导体激光补光源，其特征在于：所述半导体激光二极管是边阵列激光器，波长范围为650-980nm。

6.根据权利要求5所述的中近距离的半导体激光补光源，其特征在于：所述光束整形镜对半导体激光二极管发出的激光光斑进行整形，经过慢轴压缩。

7.根据权利要求6所述的中近距离的半导体激光补光源，其特征在于：所述MLA镜片单元对光束整形镜出射的激光光斑进行放大和匀化。

8.根据权利要求7所述的中近距离的半导体激光补光源，其特征在于：所述MLA镜片单元包括MLA镜片和MLA驱动电路，所述MLA镜片的角度范围是0-90度，根据所选镜头的角度来选择所述MLA镜片。

9.根据权利要求8所述的中近距离的半导体激光补光源，其特征在于：所述MLA镜片由玻璃、塑料或合成树脂制成，其表面图形设计为微波阵列。

10.根据权利要求9所述的中近距离的半导体激光补光源，其特征在于：所述半导体激光二极管（1）、光束整形镜（2）、微透镜阵列MLA镜片单元（3）、驱动电路（4）、散热器（5）、隔离罩（6）、镜托（7）一体安装。