[发明专利]液晶显示装置在审

专利信息
申请号: 201880097489.5 申请日: 2018-09-13
公开(公告)号: CN112689792A 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 奥本惠隆;山本明弘;长谷川浩二 申请(专利权)人: 堺显示器制品株式会社
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 叶乙梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置
【说明书】:

液晶显示装置包括:TFT基板,具备薄膜晶体管以及与薄膜晶体管连接的像素电极;对向基板,具备隔着液晶层与像素电极相对的共用电极,薄膜晶体管包含:半导体膜,隔着栅极绝缘膜层叠在栅极上,并具有在俯视时与栅极分别重叠的第一边和第二边的平面形状;以及第一电极和第二电极,分别形成在半导体膜上,并与像素电极连接,第二电极与所述第一电极对向设置,半导体膜的第一边和第二边构成规定的角度相互邻接,第一电极至少部分地分别覆盖半导体膜的第一边和第二边。

技术领域

本发明涉及液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置具备两个基板,该两个基板夹持包含液晶分子的液晶层,在该两个基板中的一个(TFT基板)上形成有对矩阵状排列的多个像素各自的电极(像素电极)施加电压的像素电路。此外,在另一个基板(对向基板)形成有夹着液晶层与像素电极对置的共用电极。根据像素电极与共用电极的电位差,液晶层内的液晶分子的取向根据每个像素而变化,由此将期望的图像显示于显示画面。像素电路主要由薄膜晶体管(TFT)构成,通过切换TFT的打开和关闭,切换向像素电极施加电压的状态。例如,如专利文献1所示,TFT包括:形成在玻璃板等的表面的栅极;隔着绝缘膜形成在栅极上的半导体膜;和分别形成在半导体膜上的源极和漏极。专利文献1的TFT具备:俯视时形成于栅极的内侧的半导体膜,以及在该半导体膜上相互对置地形成的漏极和源极,漏极与液晶显示装置的像素电极连接。

在图7中,液晶显示装置中的像素电路的一例与示意性示出的液晶层LC以及像素电极120一起示出。在图7中,像素电路具有TFT103,TFT103的源极连接到数据总线(源极总线)111,栅极连接到扫描总线(栅极总线)112,漏极连接到像素电极120。此外,与液晶层LC并联地形成有辅助电容Cs。如果TFT103根据扫描总线112的电压成为打开状态,则从数据总线111向像素电极120施加基于图像数据的电压,在液晶层LC所具有的电容以及辅助电容Cs中积蓄与图像数据相应的量的电荷。因此,即使TFT103切换成关闭状态,也能维持像素电极120的电位,来自光源的光按每个像素以与像素电极120和共用电极121的电位差相应的光量透过液晶层LC。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开平10-20298号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

但是,如图7所示,在TFT103的栅极与漏极之间,TFT的结构上存在寄生电容Cgd。因此,若TFT103成为关闭状态,则辅助电容Cs等中蓄积的电荷的一部分根据寄生电容Cgd的大小而被引入寄生电容Cgd。图8示出帧反转驱动中的两个帧(N帧和N+1帧)中的像素电极120的电位(像素电压Vd)的推移。如图8所示,若TFT103从打开状态(H1区间)切换为关闭状态(H2区间),则像素电压Vd降低与被引入寄生电容Cgd的电荷的量相应的电压(引入电压或馈通电压)△V。因此,由于寄生电容值的偏差,在各像素中无法得到基于图像数据的原来的亮度,在液晶显示装置的画面内产生亮度不均或颜色不均等显示不均,显示品质会降低。考虑到基于引入电压ΔV的变动来校正图像数据,但由于寄生电容Cgd的大小能够针对每个液晶显示装置和每个像素发生变动,因此难以始终适当地校正所有像素的图像数据。

因此,本发明的目的在于,提供因驱动像素的TFT的寄生电容的偏差导致的显示品质降低较少的液晶显示装置。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一实施方式的液晶显示装置包括:TFT基板,具备薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极;对向基板,具备隔着液晶层与所述像素电极相对的共用电极,所述薄膜晶体管包含:半导体膜,隔着栅极绝缘膜层叠在栅极上,并具有包含俯视时与所述栅极分别重叠的第一边和第二边的平面形状;第一电极和第二电极,分别形成在所述半导体膜上,所述第一电极与所述像素电极连接,所述第二电极与所述第一电极对向设置;所述第一边和所述第二边以规定的角度相互邻接,所述第一电极至少部分地分别覆盖所述第一边和所述第二边。

有益效果

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