[发明专利]具有非线性组件的分布式放大器在审

专利信息
申请号: 201880091080.2 申请日: 2018-04-06
公开(公告)号: CN111837334A 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 卢卡·皮亚宗 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H03F3/60 分类号: H03F3/60;H03F3/195
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 具有 非线性 组件 分布式 放大器
【权利要求书】:

1.一种分布式放大器(100),其特征在于,包括:

放大部分(101),具有与AC电压输入相连的输入线路(102)和与负载(104)相连的输出线路(103);

非线性组件(105),终接在所述输出线路(103),所述非线性组件(105)等效于电阻,其电阻值根据所述组件两端的AC电压的增大而增大。

2.根据权利要求1所述的分布式放大器(100),其特征在于,

所述非线性组件(105)具有在所述组件两端的大于第一阈值电压的AC电压下增大的等效电阻值。

3.根据权利要求1或2所述的分布式放大器(100),其特征在于,

所述非线性组件(105)具有在所述组件两端的小于第二阈值电压的AC电压下保持恒定的等效电阻值。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的分布式放大器(100),其特征在于,

所述非线性组件(105)是非线性电阻器。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的分布式放大器(100),其特征在于,

所述非线性组件(105)与所述组件两端的所述AC电压具有连续相关性。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的分布式放大器(100),其特征在于,

所述非线性组件(105)包括晶体管(300),具体是场效应晶体管(Field EffectTransistor,FET)。

7.根据权利要求6所述的分布式放大器(100),其特征在于,

所述非线性组件(105)还包括第一电阻器(301)和第二电阻器(302)。

8.根据权利要求7所述的分布式放大器(100),其特征在于,

所述晶体管(300)的输入端通过电容器(201)接地,所述晶体管(300)的输出端与所述放大部分(101)相连;

所述晶体管(300)的控制端通过所述第一电阻器(301)与所述输入端相连,并通过所述第二电阻器(302)与所述输出端相连。

9.根据权利要求7所述的分布式放大器(100),其特征在于,

所述晶体管(300)的输入端与DC电压源(500)相连,所述晶体管(300)的输出端与所述放大部分(101)相连;

所述晶体管(300)的控制端通过所述第一电阻器(301)与所述输入端相连,并通过所述第二电阻器(302)与所述输出端相连。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的分布式放大器(100),其特征在于,

所述第一电阻器(301)和所述第二电阻器(302)的电阻分别大于所述非线性组件(105)的等效电阻。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的分布式放大器(100),其特征在于,所述分布式放大器(100)在单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)中实现。

12.一种发送设备(700),具体为光发射器,其特征在于,包括根据权利要求1至10中任一项所述的分布式放大器(100)。

13.根据权利要求12所述的发送设备(700),其特征在于,还包括:

电光调制器(electro-optical modulator,EAM)(701),作为与所述分布式放大器(100)的所述AC电压输出(103)相连的所述负载(104)。

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