[发明专利]具有非线性组件的分布式放大器在审
申请号: | 201880091080.2 | 申请日: | 2018-04-06 |
公开(公告)号: | CN111837334A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 卢卡·皮亚宗 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H03F3/60 | 分类号: | H03F3/60;H03F3/195 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 非线性 组件 分布式 放大器 | ||
1.一种分布式放大器(100),其特征在于,包括:
放大部分(101),具有与AC电压输入相连的输入线路(102)和与负载(104)相连的输出线路(103);
非线性组件(105),终接在所述输出线路(103),所述非线性组件(105)等效于电阻,其电阻值根据所述组件两端的AC电压的增大而增大。
2.根据权利要求1所述的分布式放大器(100),其特征在于,
所述非线性组件(105)具有在所述组件两端的大于第一阈值电压的AC电压下增大的等效电阻值。
3.根据权利要求1或2所述的分布式放大器(100),其特征在于,
所述非线性组件(105)具有在所述组件两端的小于第二阈值电压的AC电压下保持恒定的等效电阻值。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的分布式放大器(100),其特征在于,
所述非线性组件(105)是非线性电阻器。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的分布式放大器(100),其特征在于,
所述非线性组件(105)与所述组件两端的所述AC电压具有连续相关性。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的分布式放大器(100),其特征在于,
所述非线性组件(105)包括晶体管(300),具体是场效应晶体管(Field EffectTransistor,FET)。
7.根据权利要求6所述的分布式放大器(100),其特征在于,
所述非线性组件(105)还包括第一电阻器(301)和第二电阻器(302)。
8.根据权利要求7所述的分布式放大器(100),其特征在于,
所述晶体管(300)的输入端通过电容器(201)接地,所述晶体管(300)的输出端与所述放大部分(101)相连;
所述晶体管(300)的控制端通过所述第一电阻器(301)与所述输入端相连,并通过所述第二电阻器(302)与所述输出端相连。
9.根据权利要求7所述的分布式放大器(100),其特征在于,
所述晶体管(300)的输入端与DC电压源(500)相连,所述晶体管(300)的输出端与所述放大部分(101)相连;
所述晶体管(300)的控制端通过所述第一电阻器(301)与所述输入端相连,并通过所述第二电阻器(302)与所述输出端相连。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的分布式放大器(100),其特征在于,
所述第一电阻器(301)和所述第二电阻器(302)的电阻分别大于所述非线性组件(105)的等效电阻。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的分布式放大器(100),其特征在于,所述分布式放大器(100)在单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)中实现。
12.一种发送设备(700),具体为光发射器,其特征在于,包括根据权利要求1至10中任一项所述的分布式放大器(100)。
13.根据权利要求12所述的发送设备(700),其特征在于,还包括:
电光调制器(electro-optical modulator,EAM)(701),作为与所述分布式放大器(100)的所述AC电压输出(103)相连的所述负载(104)。
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