[发明专利]LED阵列的波长转换层图案化

说明书

公开了一种波长转换层，该波长转换层包括大小为50‑500nm并封装在无铈的YAG壳中的多个磷光体粒，以及粘合多个磷光体粒的粘合剂材料，该波长转换层具有附接到发光表面的5‑20微米的厚度。

背景技术

精密控制照明应用可能需要生产和制造发光二极管（LED）像素系统。制造这样的LED像素系统会需要精确地沉积材料，这是因为像素的大小是小的和系统之间的小的巷道空间。用于这样的LED像素系统的部件的小型化可能导致较大的LED像素系统中不存在的非预期效果。

包括LED、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件跻身于当前可用的最有效的光源。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中，当前感兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，也被称为III族氮化物材料。典型地，通过由金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技术在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物、复合物或其他合适的衬底上外延生长具有不同成分和掺杂剂浓度的半导体层的堆叠来制造III族氮化物发光器件。该堆叠常常包括在衬底之上形成的用例如Si掺杂的一个或多个n型层、在该一个或多个n型层之上形成的有源区中的一个或多个发光层、以及在该有源区之上形成的用例如Mg掺杂的一个或多个p型层。在n型区和p型区上形成电接触部。

III族氮化物器件通常被形成为倒装或倒装芯片器件，其中n接触部和p接触部两者都形成在半导体结构的同一侧上，并且大部分光从半导体结构的与接触部相反的一侧提取。

发明内容

公开了一种波长转换层，该波长转换层包括大小为50-500nm并封装在无铈的YAG壳中的多个磷光体粒，以及粘合多个磷光体粒的粘合剂材料，该波长转换层具有附接到发光表面的5-20微米的厚度。

附图说明

从下面的描述中可以得到更详细的理解，下面的描述是结合附图作为示例给出的，在附图中：

图1A是3×3像素矩阵的俯视图示图；

图1B是10×10像素矩阵的俯视图示图；

图1C是蓝宝石衬底上的3×3像素矩阵的示图；

图1D是LED阵列的截面图示图；

图1E是发光器件的截面图示图；

图1F是生成波长转换层段的方法；

图1G是硅氧烷化合物的示图；

图1H是在转换器材料上的纳米压印光刻模具的示图；

图1I是图1H的转换器材料上的纳米压印光刻模具的中间步骤的示图；

图1J是网状的俯视图示图；

图1K是图1J的网状的截面图；

图2A是在一个实施例中在LED器件附接区处具有附接到衬底的LED阵列的电子板的俯视图；

图2B是两通道集成LED照明系统的一个实施例的示图，其中电子部件安装在电路板的两个表面上；

图2C是示例性车辆前灯系统；以及

图3示出了示例性光照系统。

具体实施方式

在下文中将参照附图更全面地描述不同的光照系统和/或发光二极管（“LED”）实现方式的示例。这些示例不是互相排斥的，并且可以将在一个示例中找到的特征与在一个或多个其他示例中找到的特征组合，以实现附加的实现方式。因此，将理解到，附图中所示的示例仅出于说明性目的提供，并且它们不意图以任何方式限制本公开。相似的数字始终指代相似的元件。