[发明专利]氧化物溅射膜、氧化物溅射膜的制造方法、氧化物烧结体和透明树脂基板在审

专利信息
申请号: 201880088250.1 申请日: 2018-12-20
公开(公告)号: CN111670263A 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 桑原正和;仁藤茂生 申请(专利权)人: 住友金属矿山株式会社
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C04B35/457;C23C14/34
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 陈彦;胡玉美
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氧化物 溅射 制造 方法 烧结 透明 树脂
【权利要求书】:

1.一种氧化物溅射膜,其特征在于,其为含有Zn与Sn的非晶质透明的具有水蒸气阻隔性能或氧阻隔性能的氧化物溅射膜,

所述Zn与Sn的金属原子数比的Sn/(Zn+Sn)为0.18以上0.29以下。

2.根据权利要求1所述的氧化物溅射膜,所述氧化物溅射膜的膜厚为100nm以下。

3.根据权利要求1所述的氧化物溅射膜,所述氧化物溅射膜进一步含有Ta和Ge,

所述Ta与Zn、Sn、Ge的金属原子数比的Ta/(Zn+Sn+Ge+Ta)为0.01以下,

所述Ge与Zn、Sn、Ta的金属原子数比的Ge/(Zn+Sn+Ge+Ta)为0.04以下。

4.根据权利要求1所述的氧化物溅射膜,依据JIS标准的K7129法并通过指定的压差法获得的水蒸气透过率,在所述氧化物溅射膜的膜厚为50~100nm时,为0.005g/m2/day以下,在所述氧化物溅射膜的膜厚小于50nm时,为0.009g/m2/day以下。

5.根据权利要求1所述的氧化物溅射膜,依据JIS标准的K7126法并通过指定的压差法获得的氧透过率,在所述氧化物溅射膜的膜厚为50~100nm时,为0.05cc/m2/day/atm以下,在所述氧化物溅射膜的膜厚小于50nm时,为0.09cc/m2/day/atm以下。

6.一种氧化物烧结体,其特征在于,其为用于通过溅射法来成膜出权利要求1~5中任一项所述的氧化物溅射膜的Sn-Zn-O系的氧化物烧结体,

所述氧化物烧结体中含有的Zn与Sn的金属原子数比的Sn/(Zn+Sn)为0.18以上0.29以下。

7.根据权利要求6所述的氧化物烧结体,所述氧化物烧结体进一步含有Ta和Ge,

所述Ta与Zn、Sn、Ge的金属原子数比的Ta/(Zn+Sn+Ge+Ta)为0.01以下,

所述Ge与Zn、Sn、Ta的金属原子数比的Ge/(Zn+Sn+Ge+Ta)为0.04以下。

8.一种氧化物溅射膜的制造方法,其特征在于,其为使用由Sn-Zn-O系的氧化物烧结体构成的靶材进行溅射,获得含有Zn与Sn的非晶质透明的具有水蒸气阻隔性能或氧阻隔性能的膜的氧化物溅射膜的制造方法,

所述溅射时使用的所述氧化物烧结体中含有的Zn与Sn的金属原子数比的Sn/(Zn+Sn)为0.18以上0.29以下。

9.根据权利要求8所述的氧化物溅射膜的制造方法,所述氧化物溅射膜的膜厚为100nm以下。

10.一种透明树脂基板,其特征在于,其为在透明基材上成膜出含有Zn与Sn的非晶质透明的具有水蒸气阻隔性能或氧阻隔性能的氧化物溅射膜而得的透明树脂基板,

所述氧化物溅射膜在所述基材的至少一个面成膜,

所述Zn与Sn的金属原子数比的Sn/(Zn+Sn)为0.18以上0.29以下,所述氧化物溅射膜的膜厚为100nm以下。

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