[发明专利]CMP抛光垫调节器

权利要求书

1.一种处理化学机械抛光CMP垫调节器的方法，其包括：

提供包括调节器衬底和浆料的所述CMP垫调节器，所述调节器衬底包含具有其上具有多晶金刚石膜的经图案化表面的金属、陶瓷或金属-陶瓷材料，所述浆料包含含水介质和多个具有大于3,000Kg/mm²的维氏硬度的硬浆料粒子；和

在CMP设备中使用抛光垫和所述浆料抛光所述多晶金刚石膜，

其中在所述抛光之后，所述多晶金刚石膜包括具有前20％的峰值-谷值范围内的高度的最高大晶粒，并且至少80％的所述最高大晶粒具有距(111)取向20度内的取向。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个硬浆料粒子包括金刚石粒子。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述金刚石粒子的平均大小在从10微米到200微米的范围内。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述浆料中的所述金刚石粒子的浓度介于1重量％和20重量％之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述抛光垫包括具有大于50kg/m²的维氏硬度的金属或陶瓷材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述抛光垫包括铜、钢或包含至少两种金属的金属合金。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述浆料的粘性在从2厘泊到1,500厘泊的范围内。

8.根据权利要求2所述的方法，其另外包括选自氧化铝或二氧化硅的二次粒子，所述二次粒子具有小于3,000Kg/mm²的维氏硬度和介于10nm到10微米之间的大小，以及介于1重量％到60重量％之间的浓度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述多个硬浆料粒子包括金刚石粒子，且其中所述二次粒子的大小比所述金刚石粒子的大小小至少30％。