[发明专利]显示装置

说明书

本发明的课题为，在具有由氧化物半导体构成的TFT的显示装置中，减小源极/漏极电阻并实现具有稳定的Vd‑Id特性的TFT。本发明的内容为：形成有多个具有由氧化物半导体105构成的薄膜晶体管(TFT)的像素的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体105中形成有沟道，在所述沟道的两侧形成的漏极及源极，在所述沟道与所述漏极之间或所述沟道与所述源极之间形成有中间区域，在所述氧化物半导体105的所述沟道与所述中间区域之上形成有栅极绝缘膜106，在所述栅极绝缘膜106之上形成有氧化铝膜107，在所述沟道的上方且在所述氧化铝膜107之上形成有栅电极109，在所述栅电极109的两侧形成有侧壁间隔件108，以覆盖所述栅电极109、所述侧壁间隔件108及所述源极及漏极的方式形成有层间绝缘膜110。

技术领域

本发明涉及显示装置，涉及具有使用氧化物半导体的TFT的显示装置。

背景技术

有机EL显示装置在各像素内具有由TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)形成的驱动晶体管、开关晶体管，另外，液晶显示装置在各像素内具有由TFT形成的开关晶体管。因此TFT的特性是重要的。

氧化物半导体截止电阻(OFF电阻)高，在将其用于TFT时能够减小截止电流(OFF电流)。因此能够减小像素电极电位的变化。另外，使用氧化物半导体的TFT与使用多晶硅等TFT相比能够在更低的温度形成，因此能够实现使用树脂基板而得的显示装置。

在TFT中，在沟道与漏极之间电场集中，存在在该部分发生绝缘击穿的危险。因此，在使用多晶硅(poly-Si)的TFT中，在沟道与漏极之间形成LDD(Lightly Doped Drain：轻掺杂漏极)区域以防止该部分的绝缘击穿。

在使用氧化物半导体的在TFT中，为了形成漏极和源极，通过向氧化物半导体的漏极和源极的部分供给氢而进行对该部分赋予导电性的处理。在专利文献1中记载了下述构成：使供给至漏极及源极的氢扩散，形成发挥与LDD区域相同作用的区域、即在沟道与漏极或源极之间形成电阻比沟道区域小、比漏极或源极大的区域。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-85079号公报

发明内容

发明要解决的课题

如专利文献1记载所示，对于通过退火使氢扩散至栅电极的下侧而形成中间电阻部分的方法而言，难以控制氢的扩散区域。特别是，若沟道长度变小，则存在TFT耗尽(deplete)的危险。若为了减小漏极及源极的电阻而向漏极及源极供给更多的氢，则耗尽的危险进一步增加。

本发明的课题为能够得到下述构成，即，在使用氧化物半导体的TFT中，能够在沟道与漏极及源极之间稳定地形成中间区域。另外，本发明的课题为，实现具有稳定特性的使用氧化物半导体的TFT。

用于解决课题的手段

本发明能够克服上述问题，具体的手段如下。

(1)显示装置，其形成有多个具有由氧化物半导体构成的薄膜晶体管(TFT)的像素，所述显示装置的特征在于，所述氧化物半导体中形成有沟道，在所述沟道的两侧形成有漏极及源极，在所述沟道与所述漏极之间及所述沟道与所述源极之间形成有中间区域，在所述氧化物半导体的所述沟道与所述中间区域之上形成有栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成有氧化铝膜，在所述沟道的上方且在所述氧化铝膜之上形成有栅电极，在所述栅电极的两侧形成有侧壁间隔件，以覆盖所述栅电极、所述侧壁间隔件及所述源极及漏极的方式形成有层间绝缘膜。

(2)根据(1)所述的显示装置，其特征在于，在俯视观察时，在所述氧化物半导体与所述栅电极和所述氧化铝膜相接触的部分重叠的部分形成有所述沟道，同样地，在与所述侧壁间隔件对应的部分形成有所述氧化物半导体的所述中间区域。