[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201880082414.X | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN111512226B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 宍戸博明;桥本雅广;打田崇;内田真理子 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社;HOYA电子新加坡股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/54;G03F1/74;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 杨薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 坯料 相移 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种掩模坯料,其在透光性基板上具备相移膜,
所述相移膜包含2层以上的层叠结构,该2层以上的层叠结构包含与透光性基板相接的最下层,
所述相移膜的除最下层以外的层由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素和硅的材料形成,
所述最下层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素、硅及氮的材料形成,
所述最下层中的Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si-Si键的总存在数而得到的比率为0.05以下,其中,所述SiaNb键中的a和b满足b/[a+b]<4/7,
所述最下层中的SiaNb键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si-Si键的总存在数而得到的比率为0.1以上。
2.根据权利要求1所述的掩模坯料,其中,
所述除最下层以外的层的氮及氧的总含量为50原子%以上。
3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料,其中,
所述除最下层以外的层中的至少1层的氮的含量为50原子%以上。
4.根据权利要求1或2所述的掩模坯料,其中,
所述最下层由含有硅、氮及非金属元素的材料形成。
5.根据权利要求1或2所述的掩模坯料,其中,
所述除最下层以外的层中的至少1层中,其1层中的Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键、Si-Si键、Si-O键及Si-ON键的总存在数而得到的比率为0.87以上。
6.根据权利要求1或2所述的掩模坯料,其中,
所述最下层的厚度为16nm以下。
7.根据权利要求1或2所述的掩模坯料,其中,所述相移膜具有下述功能:
使ArF准分子激光的曝光光以2%以上的透射率透过的功能、和
使透过所述相移膜后的所述曝光光和仅以与所述相移膜的厚度相同的距离在空气中通过后的所述曝光光之间产生150度以上且200度以下的相位差的功能。
8.根据权利要求1或2所述的掩模坯料,其中,
在所述相移膜上具备遮光膜。
9.一种相移掩模,其在透光性基板上具备形成有转印图案的相移膜,
所述相移膜包含2层以上的层叠结构,该2层以上的层叠结构包含与透光性基板相接的最下层,
所述相移膜的除最下层以外的层由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素和硅的材料形成,
所述最下层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素、硅及氮的材料形成,
所述最下层中的Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si-Si键的总存在数而得到的比率为0.05以下,其中,所述SiaNb键中的a和b满足b/[a+b]<4/7,
所述最下层中的SiaNb键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si-Si键的总存在数而得到的比率为0.1以上。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备