[发明专利]用于存储器感测的电荷分离

说明书

本发明包含用于存储器感测的电荷分离的设备、方法及系统。一实施例包含：对存储器单元施加感测电压；及至少部分地基于对以下的比较来确定所述存储器单元的数据状态：在特定参考时间之前当正在对所述存储器单元施加所述感测电压时所述存储器单元所释放的电荷量与在所述特定参考时间之后当正在对所述存储器单元施加所述感测电压时所述存储器单元所释放的电荷量。

技术领域

本发明大体来说涉及半导体存储器及方法，且更特定来说涉及用于存储器感测的电荷分离。

背景技术

存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可装卸装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据，且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可通过在不被供电时仍存留所存储数据来提供持久数据，且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM))、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)及可编程导电存储器等等。

存储器装置可在需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的宽广范围的电子应用中用作易失性及非易失性的存储器。非易失性存储器可用于(举例来说)个人计算机、便携式存储器棒、固态驱动器(SSD)、数码相机、蜂窝式电话、例如MP3播放器等便携式音乐播放器及电影播放器以及其它电子装置中。

存储器装置可包含可基于存储元件(例如，电容器)的电荷电平而存储数据的存储器单元。此些存储器单元可经编程以通过改变存储元件的电荷电平来存储与目标数据状态对应的数据(例如，电容器的不同电荷电平可表示不同数据状态)。举例来说，可将电场或能量的源(例如正电脉冲或负电脉冲(例如，正或负的电压脉冲或电流脉冲))施加到存储器单元(例如，施加到所述单元的存储元件)达特定持续时间以将所述单元编程到目标数据状态。

可将存储器单元编程到若干种数据状态中的一者。举例来说，单电平存储器单元(SLC)可被编程到两种不同的数据状态中的目标状态，所述两种不同的数据状态可由二进制单位1或0表示且可取决于单元的电容器是经充电还是未充电。举一额外实例，一些存储器单元可被编程到多于两种数据状态中的目标状态(例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110)。此些单元可被称为多状态存储器单元、多单位单元或多电平单元(MLC)。MLC可在不增加存储器单元的数目的情况下提供较高密度的存储器，因为每一单元可表示多于一个数字(例如，多于一个位)。

发明内容

在一个方面中，本申请案针对于一种操作存储器的方法，其包括：对存储器单元108、308、608施加感测电压；及至少部分地基于对以下的比较来确定所述存储器单元108、308、608的数据状态：在特定参考时间之前当正在对所述存储器单元108、308、608施加所述感测电压时所述存储器单元108、308、608所释放的电荷量；与在所述特定参考时间之后当正在对所述存储器单元108、308、608施加所述感测电压时所述存储器单元108、308、608所释放的电荷量。

在另一方面中，本申请案针对于一种设备，所述设备包括：存储器单元108、308、608；第一电容器352、652，其经配置以存储在特定参考时间之前当正在对所述存储器单元108、308、608施加感测电压时所述存储器单元108、308、608所释放的电荷；第二电容器354、654，其经配置以存储在所述特定参考时间之后当正在对所述存储器单元108、308、608施加所述感测电压时所述存储器单元108、308、608所释放的电荷；及电路系统350、651，其经配置以至少部分地基于对所述第一电容器352、652所存储的所述电荷与所述第二电容器354、654所存储的所述电荷的比较来确定所述存储器单元108、308、608的数据状态。