[发明专利]化合物

权利要求书

1.式(I)的化合物：

其中R¹和R²各自独立地为直链、支化或环状的C_1-20烷基；并且Ar¹和Ar²各自独立地为芳族或杂芳族基团，所述芳族或杂芳族基团是未取代的或者取代有一个或多个取代基。

2.根据权利要求1的化合物，其中Ar¹是C_6-20芳族基团。

3.根据权利要求2的化合物，其中Ar¹是苯基。

4.根据任意前述权利要求的化合物，其中Ar²是C_6-20芳族基团。

5.根据权利要求5的化合物，其中Ar²是苯基。

6.根据前述权利要求中任一项的化合物，其中Ar¹和Ar²各自独立地是未取代的或者取代有一个或多个取代基，所述取代基选自：

支化、直链或环状的C_1-12烷基，其中该C_1-12烷基的一个或多个不相邻的非末端C原子可以被O、S、NR⁵、C＝0或COO替换，其中R⁵是C_1-12烃基；和

离子取代基。

7.一种组合物，其包含有机半导体和根据前述权利要求中任一项的化合物。

8.根据权利要求7的组合物，其中所述有机半导体是半导体聚合物。

9.根据权利要求8的组合物，其中所述半导体聚合物是共轭聚合物。

10.一种配制物，其包含根据权利要求1-6任一项的化合物和至少一种溶剂。

11.根据权利要求10的配制物，其中该配制物还包含有机半导体。

12.通过用n-掺杂剂掺杂有机半导体而形成的电荷转移盐，所述n-掺杂剂是由根据权利要求1-6任一项的式(I)的化合物形成。

13.一种形成电荷转移盐的方法，该方法包括激活根据权利要求7-9任一项的组合物的步骤。

14.一种有机电子器件，其包括含根据权利要求12的电荷转移盐的层。

15.根据权利要求14的有机电子器件，其中所述有机电子器件是包括阳极、阴极以及在所述阳极与所述阴极之间的发光层的有机发光器件，并且其中所述包含电荷转移盐的层是在发光层和阴极之间的电子注入层。

16.根据权利要求15的有机电子器件，其中所述电子注入层与所述发光层接触。

17.一种形成有机电子器件的层的方法，该方法包括以下步骤：沉积根据权利要求7-9任一项的组合物的层，以及激活该组合物以引起有机半导体的n-掺杂。

18.根据权利要求17的方法，其中通过加热和/或照射来激活所述组合物。

19.根据权利要求17或18所述的方法，其中由根据权利要求11的配制物来沉积所述组合物的层。