[发明专利]测量方法、图案化设备以及设备制造方法

权利要求书

1.一种测量光刻装置的聚焦性能的方法，所述方法包括：

(a)使用所述光刻装置在衬底上印刷至少第一聚焦量测目标，所印刷的第一聚焦量测目标包括至少第一周期性阵列的特征，

(b)使用检视辐射从所印刷的第一聚焦量测目标中的所述第一周期性阵列获得一个或多个衍射信号；以及

(c)至少部分地基于在步骤(b)中获得的所述衍射信号来导出对聚焦性能的测量，

其中，所述第一周期性阵列包括至少在第一周期性方向上第一区域与第二区域交错的重复布置，所述第一区域和所述第二区域中的特征密度不同，

其中，所述第一区域中的每个第一区域包括重复布置的第一特征，每个第一特征的最小尺寸接近于但不小于所述印刷步骤的分辨率极限，

其中所述第一聚焦量测目标进一步包括第二周期性阵列的特征，并且

其中所述第二周期性阵列包括至少在第二周期性方向上第三区域与第四区域交错的重复布置，在所述第三区域和所述第四区域中的特征密度不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区域与第二区域仅在所述第一周期性方向上交错。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第三区域中的每个第三区域包括重复布置的第三特征，每个第三特征的最小尺寸接近于但不小于所述印刷步骤的分辨率极限，以及

其中，步骤(b)进一步包括从所述印刷的第一聚焦量测目标中的所述第二周期性阵列获得一个或多个衍射信号。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第三区域在与所述第一周期性方向正交的第二周期性方向上与所述第四区域交错。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，所述第一区域和第三区域中的所述特征密度相同，并且所述第二区域和第四区域中的所述特征密度相同。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二周期性阵列与所述第一周期性阵列相同，但旋转了九十度。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第三区域在所述第二周期性方向上与所述第四区域交错，所述第一周期性布置的特征和所述第二周期性布置的特征在一个或多个设计参数上不同。

8.根据在先权利要求任一项所述的方法，其中，所述第一区域中的所述第一特征包括线，所述线具有与所述最小尺寸相对应的宽度且具有比最小方向更长的长度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一区域中的所述第一特征包括短切线，每个特征具有与所述最小尺寸相对应的宽度以及比所述最小方向更长但小于所述第一周期性阵列的四分之一周期的长度。

10.根据在先权利要求任一项所述的方法，其中，所述第一特征包括具有与所述最小尺寸相对应的宽度且具有不同定向的线段。

11.一种制造设备的方法，其中，使用光刻工艺将设备图案施加到一系列衬底，所述方法包括：

使用根据在先权利要求任一项所述的方法来监控所述光刻工艺的性能参数，以及

根据所述确定的性能参数来控制用于后续衬底的所述光刻工艺。