[发明专利]应变片有效
申请号: | 201880076444.X | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN111406196B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 汤口昭代;小野彩;美齐津英司 | 申请(专利权)人: | 美蓓亚三美株式会社 |
主分类号: | G01B7/16 | 分类号: | G01B7/16 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本长野*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应变 | ||
1.一种应变片,包括:
树脂制的基材,具有可挠性;
功能层,由金属、合金、或金属的化合物直接形成在所述基材的一个表面上;
电阻体,由以α-Cr作为主成分的包含Cr、CrN、Cr2N并且扩散有所述功能层中包含的元素的膜形成在所述功能层的一个表面上;以及
电极,与所述电阻体电连接,其中,
所述功能层至少具有促进所述电阻体的晶体生长的功能,
应变率为10以上,
所述电极具有:
端子部,从所述电阻体的端部延伸;
第一金属层,由铜、铜合金、镍、或镍合金形成在所述端子部上;以及
第二金属层,由焊料润湿性优于所述第一金属层的材料形成在所述第一金属层上。
2.一种应变片,包括:
树脂制的基材,具有可挠性;
功能层,由金属、合金、或金属的化合物直接形成在所述基材的一个表面上;以及
电阻体,由以α-Cr作为主成分的包含Cr、CrN、Cr2N并且扩散有所述功能层中包含的元素的膜形成在所述功能层的一个表面上;以及
电极,与所述电阻体电连接,其中,
所述功能层至少具有促进所述电阻体的晶体生长的功能,
电阻温度系数在-1000ppm/℃~+1000ppm/℃的范围内,
所述电极具有:
端子部,从所述电阻体的端部延伸;
第一金属层,由铜、铜合金、镍、或镍合金形成在所述端子部上;以及
第二金属层,由焊料润湿性优于所述第一金属层的材料形成在所述第一金属层上。
3.一种应变片,包括:
树脂制的基材,具有可挠性;
功能层,由金属、合金、或金属的化合物直接形成在所述基材的一个表面上;以及
电阻体,由以α-Cr作为主成分的包含Cr、CrN、Cr2N的膜形成在所述功能层的一个表面上;以及
电极,与所述电阻体电连接,其中,
所述功能层至少具有促进所述电阻体的晶体生长的功能,
所述电极具有:
端子部,从所述电阻体的端部延伸;
第一金属层,由铜、铜合金、镍、或镍合金形成在所述端子部上;以及
第二金属层,由焊料润湿性优于所述第一金属层的材料形成在所述第一金属层上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片,其中,
所述第一金属层为电解镀层。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片,其中,
所述第二金属层直接或间接地覆盖所述第一金属层的上表面及侧面。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片,其中,
所述第一金属层的厚度为1μm以上。
7.根据权利要求6所述的应变片,其中,
所述第一金属层的厚度为3μm以上。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片,其中,
所述功能层包含选自由Cr、Ti、V、Nb、Ta、Ni、Y、Zr、Hf、Si、C、Zn、Cu、Bi、Fe、Mo、W、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Mn、Al组成的群组的一种或多种金属、所述群组中的任意金属的合金、或者所述群组中的任意金属的化合物。
9.根据权利要求8所述的应变片,其中,
所述功能层包含选自由Cr、V、Nb、Ta、Ni、Y、Hf、C、Zn、Bi、Fe、Mo、W、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Mn组成的群组的一种或多种金属、所述群组中的任意金属的合金、或者所述群组中的任意金属的化合物。
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