[发明专利]应变片

权利要求书

1.一种应变片，包括：

树脂制的基材，具有可挠性；

功能层，由金属、合金、或金属的化合物直接形成在所述基材的一个表面上；以及

电阻体，由Cr、CrN、Cr₂N进行相混合而成并且扩散有所述功能层中包含的Cr以外的元素的Cr混合相膜直接形成在所述功能层的一个表面上，其中，

所述电阻体以α-Cr作为主成分，

所述功能层对所述Cr混合相膜的生长面进行限制并促进所述Cr混合相膜的晶体生长，

应变率为10以上，

所述基材的膨胀系数在7ppm/K～20ppm/K的范围内。

2.一种应变片，包括：

树脂制的基材，具有可挠性；

功能层，由金属、合金、或金属的化合物直接形成在所述基材的一个表面上；以及

电阻体，由Cr、CrN、Cr₂N进行相混合而成并且扩散有所述功能层中包含的Cr以外的元素的Cr混合相膜直接形成在所述功能层的一个表面上，其中，

所述电阻体以α-Cr作为主成分，

所述功能层对所述Cr混合相膜的生长面进行限制并促进所述Cr混合相膜的晶体生长，

电阻温度系数在-1000ppm/℃～+1000ppm/℃的范围内，

所述基材的膨胀系数在7ppm/K～20ppm/K的范围内。

3.一种应变片，包括：

树脂制的基材，具有可挠性；

功能层，由金属、合金、或金属的化合物直接形成在所述基材的一个表面上；以及

电阻体，由Cr、CrN、Cr₂N进行相混合而成的Cr混合相膜直接形成在所述功能层的一个表面上，其中，

所述电阻体以α-Cr作为主成分，

所述功能层对所述Cr混合相膜的生长面进行限制并促进所述Cr混合相膜的晶体生长，

所述基材的膨胀系数在7ppm/K～20ppm/K的范围内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片，其中，

所述功能层包含选自由Cr、Ti、V、Nb、Ta、Ni、Y、Zr、Hf、Si、C、Zn、Cu、Bi、Fe、Mo、W、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Mn、Al组成的群组的一种或多种金属、所述群组中的任意金属的合金、或者所述群组中的任意金属的化合物。

5.根据权利要求4所述的应变片，其中，

所述功能层包含选自由Cr、V、Nb、Ta、Ni、Y、Hf、C、Zn、Bi、Fe、Mo、W、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Mn组成的群组的一种或多种金属、所述群组中的任意金属的合金、或者所述群组中的任意金属的化合物。

6.根据权利要求4所述的应变片，其中，

所述功能层包含选自由TiN、TaN、Si₃N₄、TiO₂、Ta₂O₅、SiO₂组成的群组的一种金属化合物。

7.根据权利要求6所述的应变片，其中，

所述功能层包含选自由TiN、TaN、Si₃N₄、Ta₂O₅组成的群组的一种金属化合物。

8.根据权利要求4所述的应变片，其中，

所述功能层包含选自由FeCr、TiAl、FeNi、NiCr、CrCu组成的群组的一种合金。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片，其中，

所述功能层具有防止所述电阻体因所述基材中所含的氧和水分而氧化的功能、以及提高所述基材与所述电阻体的密合性的功能。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片，其中，

所述功能层图案化成与所述电阻体相同的平面形状。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片，其中，

所述功能层的厚度为1nm～100nm。