[发明专利]透明导电性薄膜在审
申请号: | 201880075701.8 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN111372776A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 河野文彦;松本圭祐;安藤豪彦 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | B32B27/18 | 分类号: | B32B27/18;H01B5/14 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电性 薄膜 | ||
透明导电性薄膜依次具备:透明树脂基材、硬涂层、光学调整层、密合层、和透明导电层。密合层为含有纳米二氧化硅颗粒的树脂层,密合层的透明导电层侧的表面中,硅原子数相对于碳原子数的比为0.50以上。
技术领域
本发明涉及透明导电性薄膜,详细而言,涉及适合用于光学用途的透明导电性薄膜。
背景技术
以往,将以期望的电极图案形成有包含铟锡复合氧化物的透明导电层的透明导电性薄膜用于触摸面板等光学用途。
例如,专利文献1中公开了一种透明导电性薄膜,其依次具备:透明树脂薄膜、硬涂层、中间层、和透明导电层,中间层包含金属氧化物微粒和活性能量射线固化型树脂,折射率为1.65~1.90。对于下述专利文献1的透明导电性薄膜,透射光的着色和薄膜的卷曲性得以抑制,无法实现透明导电层中的图案部与非图案部的识别,从而使作为显示元件的外观良好。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-62609号公报
发明内容
但是,上述专利文献1的透明导电性薄膜的耐擦伤性低。即,若摩擦透明导电层的表面,则透明导电层破裂,其一部分会从中间层剥离及脱落。其结果,导电性能明显差。
因此,为了抑制透明导电层的剥离,研究在中间层与透明导电层之间(即,在透明导电层的下表面)设置包含树脂的密合层。
但是,在透明导电层的下表面设置有密合层的情况下,利用蚀刻液等将透明导电层蚀刻为期望的图案(例如电极图案)时,蚀刻液会将密合层过度地蚀刻。更具体而言,将与透明导电层的图案部的下表面接触的密合层部分蚀刻。其结果,存在图案部变得不被密合层支撑、在图案部产生裂纹的不良情况。即,图案化特性差。
本发明目的在于,提供耐擦伤性及图案化特性良好的透明导电性薄膜。
本发明[1]包含一种透明导电性薄膜,其依次具备:透明树脂基材、硬涂层、光学调整层、密合层、和透明导电层,前述密合层为含有纳米二氧化硅颗粒的树脂层,前述密合层的前述透明导电层侧的表面中,硅原子数相对于碳原子数的比为0.50以上。
本发明[2]包含[1]所述的透明导电性薄膜,其中,前述硅原子数相对于碳原子数的比为1.00以上。
本发明[3]包含[1]或[2]所述的透明导电性薄膜,其中,前述密合层的厚度为10nm以上且100nm以下。
本发明[4]包含[1]~[3]中任一项所述的透明导电性薄膜,其中,前述透明树脂基材为环烯烃聚合物薄膜。
根据本发明的透明导电性薄膜,其依次具备:透明树脂基材、硬涂层、光学调整层、密合层、和透明导电层,密合层为含有纳米二氧化硅颗粒的树脂层。因此,能够提高光学调整层与透明导电层的密合性,能够抑制透明导电层的剥离及脱落。因此,耐擦伤性优异。
另外,密合层的透明导电层侧的表面中,硅原子数相对于碳原子数的比为0.50以上。因此,对透明导电层进行蚀刻时,能够抑制对密合层的过度的蚀刻,能够抑制透明导电层的裂纹。因此,对透明导电层的图案化特性良好。
附图说明
图1示出本发明的透明导电性薄膜的一实施方式的截面图。
图2示出图1所示的透明导电性薄膜进行了图案化的形态的截面图。
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