[发明专利]三氯硅烷的制造方法及三氯硅烷的制造装置

说明书

本发明的制造方法为一种三氯硅烷的制造方法，使用具有设置为能相对于阀座而以非接触的状态来旋转的阀体的无滑动阀(b1～b4)，在三氯硅烷的制造系统中对金属硅粉体所流通的导入流路(f1)、导出流路(f2)、排出流路(f31)及排出流路(f32)进行开闭。

技术领域

本发明涉及一种三氯硅烷的制造方法及三氯硅烷的制造装置。

背景技术

高纯度的三氯硅烷(TCS、SiHCl3)用于制造作为半导体及太阳能电池的材料来使用的多晶硅。三氯硅烷例如经过以下的反应路径而获得。首先，使金属硅粉体(Si)与氯化氢(HCl)进行反应。在此情况下，作为主反应，如式(1)所示生成三氯硅烷，但作为副反应，如式(2)所示产生四氯硅烷(STC、SiCl4)。四氯硅烷回收后再利用，如式(3)所示转化为三氯硅烷。另外，还存在不使用氯化氢，而是通过式(3)的反应来制造三氯硅烷的情况。

Si+3HCl→SiHCl₃+H₂       (1)

Si+4HCl→SiCl₄+2H₂       (2)

3SiCl₄+2H₂+Si→4SiHCl₃    (3)

从进行所述反应的反应装置中回收的反应产物中，包含包括三氯硅烷、低沸点硅烷及四氯硅烷等的氯硅烷化合物。在三氯硅烷的制造系统中，对金属硅粉体所流通的配管设置阀。例如，在专利文献1中公开了金属硅粉体经由阀而向导入配管内导入。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开专利公报“特开2009-120468号公报”

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在上述现有技术中，在设置于金属硅粉体所流通的配管上的阀中，在金属硅粉体进入阀体与阀座之间的情况下，存在阀座容易损伤，容易发生内漏的问题。具体而言，在阀体旋转时进入阀体与阀座之间的金属硅粉体有时会损伤阀座。通过阀座受损，而容易发生内漏。

本发明的一方式的目的为防止由于金属硅粉体而损伤阀座，而防止内漏的发生。

解决问题的技术手段

为了解决所述问题，本发明的一方式的制造方法为一种三氯硅烷的制造方法，在所述三氯硅烷的制造系统中，使用无滑动阀对金属硅粉体所流通的流路进行开闭，所述无滑动阀具有设置为能相对于阀座而以非接触的状态来旋转的阀体。

本发明的一方式的制造装置为一种三氯硅烷的制造装置，包括金属硅粉体所流通的配管、以及无滑动阀，所述无滑动阀具有设置为能相对于阀座而以非接触的状态来旋转的阀体，并且所述无滑动阀在所述三氯硅烷的制造系统中设置于所述配管上，对所述配管的流路进行开闭。

发明的效果

根据本发明的一方式，能够防止由于金属硅粉体而损伤阀座，而防止内漏的发生。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1的制造装置的构成的一例的示意图。

图2的(a)～(d)是表示图1所示的制造装置所包括的无滑动阀关闭的情况下的无滑动阀的运行的图。

图3的(a)～(d)是表示图1所示的制造装置所包括的无滑动阀打开的情况下的无滑动阀的运行的图。

图4是表示本发明的实施方式2的制造装置的构成的一例的示意图。

具体实施方式

[实施方式1]

(制造装置1的结构)