[发明专利]浴中设备用构件、熔融金属浴中设备及热浸镀金属材制造装置

权利要求书

1.一种浴中设备用构件，其是热浸镀金属材制造装置中的熔融金属浴中设备所使用的浴中设备用构件，

所述浴中设备用构件具有设置于该浴中设备用构件的表面的至少一部分上的覆盖层，

所述覆盖层包含硬质粒子和保持该硬质粒子的基体，

所述基体是以Co作为主要成分的钴基合金，

所述硬质粒子包含选自由碳化钨、碳化二钨、碳化铬、碳化钛及碳化铌构成的组中的至少一种的单体、及使用粘合剂将该单体造粒而成的造粒物中的一者或两者，

所述硬质粒子的形状系数的平均值为1.55以下，所述形状系数被表示为将包含硬质粒子的投影形状的最小圆的面积除以与该硬质粒子的投影形状对应的面积而得到的值。

2.根据权利要求1所述的浴中设备用构件，其中，所述硬质粒子的粒径为0.001mm～1mm。

3.根据权利要求2所述的浴中设备用构件，其中，所述硬质粒子的粒径为0.02mm～0.5mm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的浴中设备用构件，其中，所述硬质粒子的含量相对于所述覆盖层的整个体积为15体积％～70体积％。

5.根据权利要求4所述的浴中设备用构件，其中，所述硬质粒子的含量相对于所述覆盖层的整个体积为25体积％～55体积％。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的浴中设备用构件，其中，所述覆盖层的厚度为1mm～(浴中设备用构件的壁厚尺寸)－7mm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的浴中设备用构件，其中，所述钴基合金以质量％计包含

Cr：11％～34％、

C：0.05％～3.5％、

W：2％～25％、

Ni：0.5％～30％、

Si：0％～4％、及

B：0％～4％，

剩余部分包含Co及杂质。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的浴中设备用构件，其中，所述钴基合金中的C的含量以质量％计为0.5％～3.0％，

所述基体包含含有析出的W或Cr的至少一者的粒状碳化物。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的浴中设备用构件，其为所述熔融金属浴中设备的辊构件。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的浴中设备用构件，其为所述熔融金属浴中设备的辊支轴或辊轴承。

11.一种熔融金属浴中设备，其具备权利要求1～10中任一项所述的浴中设备用构件。

12.一种热浸镀金属材制造装置，其具备权利要求1～10中任一项所述的浴中设备用构件。