[发明专利]包括具有自立式区段的膜的装置

权利要求书

1.一种装置(100、200、300、600)，包括：

膜(103)，其包括导电和/或半导电的高纵横比分子结构、HARM结构的网络；

框架(102)，其被布置成在至少两个支撑位置处支撑所述膜，使得所述膜(103)的自立式区段(101)在所述至少两个支撑位置之间延伸；

两个或更多个电接触区域，其电联接至所述膜(103)；

其中，所述两个或更多个电接触区域被布置成使电荷以0.01安培到10安培之间的电流通过所述膜(103)的自立式区段(101)，以在所述网络中的所述HARM结构之间提供磁引力。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述两个或更多个电接触区域被布置成使电荷以0.01安培到0.7安培之间的电流通过所述膜(103)的自立式区段(101)。

3.根据权利要求1所述的装置，包括：两个或更多个电极(104、104’)，其在两个或更多个外围部位处电联接至所述膜(103)，其中，所述两个或更多个电接触区域设置在所述两个或更多个电极(104、104’)中，并且所述两个或更多个电极(104、104’)被成形为使电荷通过所述膜(103)的整个自立式区段(101)。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述两个或更多个电极(104、104’)附接至所述框架(102)。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述框架(102)包括导电材料和非导电区域，所述非导电区域将所述导电材料分成至少两个导电区域，并且其中，所述两个或更多个电接触区域设置在所述框架(102)的导电区域中。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的装置，其中，所述两个或更多个电接触区域被布置成使电荷以0千赫兹到20千赫兹之间的频率的脉冲通过所述膜(103)的自立式区段(101)。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的装置，其中，所述膜(103)包括随机定向的HARM结构的网络。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的装置，其中，所述膜(103)中的HARM结构被定向在相同的方向上，并且所述电接触区域电联接至所述膜(103)，使得所述膜(103)的自立式区段(101)中的电流的方向平行于所述HARM结构的定向。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的装置，其中，所述框架(102)被布置成沿着所述自立式区段(101)的周边支撑所述膜(103)。

10.根据权利要求1-5中任一项所述的装置，其中，所述HARM结构从以下组中选择：碳纳米管分子、碳纳米芽分子、石墨烯带和碳纤维丝。

11.根据权利要求1-5中任一项所述的装置，其中，所述膜(103)具有在1纳米到10微米之间的厚度。

12.根据权利要求1-5中任一项所述的装置，其中，所述自立式区段(101)涂有聚合物、金属或金属氧化物涂层。

13.一种空气过滤器，其包括根据权利要求1-12中任一项所述的装置。

14.一种液体环境过滤器，其包括根据权利要求1-12中任一项所述的装置。

15.一种用于光掩模的表膜，其包括根据权利要求1-12中任一项所述的装置。

16.一种传感器，其包括根据权利要求1-12中任一项所述的装置，其中，所述自立式区段(101)被用作感测元件。