[发明专利]存储器装置的修整设置确定

说明书

本发明包含与包含控制器及存储器单元阵列的存储器系统相关的设备及方法。实例设备可包含控制器，所述控制器经配置以基于由存储器单元阵列执行的先前操作接收所述存储器单元阵列的操作特性，基于所述存储器单元阵列的所述操作特性确定所述存储器单元阵列的一组修整设置，其中所述修整设置组与所述存储器单元阵列的所要操作特性相关联，且将所述修整设置组发送到所述存储器单元阵列。

技术领域

本发明大体上涉及存储器系统，且更特定来说涉及确定存储器装置的修整设置的设备和方法。

背景技术

存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部、半导体、集成电路及/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电源来维持其数据且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可通过在不加电时保留存储数据来提供持久数据且可包含NAND闪存、NOR闪存、只读存储器(ROM)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)及可编程导电存储器等等。

存储器装置可用作用于需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的广泛范围的电子应用的易失性及非易失性存储器。非易失性存储器可用于例如个人计算机、便携式存储棒、固态驱动器(SSD)、数码相机、蜂窝电话、例如MP3播放器的便携式音乐播放器及电影播放器，以及其它电子装置中。

电阻可变存储器装置可包含可基于存储元件(例如，具有可变电阻的电阻性存储器元件)的电阻状态来存储数据的电阻性存储器单元。因而，可通过改变电阻性存储器元件的电阻电平来对电阻性存储器单元进行编程以存储对应于目标数据状态的数据。可通过将例如正或负电脉冲(例如，正或负电压或电流脉冲)的电场或能量源施加到电阻性存储器单元(例如，所述单元的电阻性存储器元件)达特定持续时间来将所述单元编程为目标数据状态(例如，对应于特定电阻状态)。可通过响应于所施加询问电压而感测通过电阻性存储器单元的电流来确定所述单元的状态。基于所述单元的电阻电平变动的所感测电流可指示所述单元的状态。

可针对电阻性存储器单元设置数种数据状态(例如，电阻状态)中的一者。例如，单级存储器单元(SLC)可被编程为两种不同数据状态中的目标状态，所述目标状态可由二进制单位1或0表示且可取决于所述单元是否被编程为高于或为低于特定电平的电阻。作为额外实例，一些电阻性存储器单元可被编程为两种以上数据状态中的目标状态(例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110)。此类单元可被称为多状态存储器单元、多单位单元或多级单元(MLC)。MLC可提供更高密度存储器而不会增加存储器单元数，因为每一单元可表示一个以上数字(例如，一个以上位)。

发明内容

本申请案的一个实施例提供一种设备，其包括具有控制电路的控制器，所述控制电路经配置以：基于由存储器单元阵列(112、212)执行的先前操作接收所述存储器单元阵列的操作特性(461、462、463、464、465、466、467、468)；基于所述存储器单元阵列的所述操作特性确定所述存储器单元阵列的一组修整设置(106、206、330、332、334)，其中所述修整设置组与所述存储器单元阵列的所要操作特性相关联；及将所述修整设置组发送到所述存储器单元阵列。