[发明专利]光吸收体的制造方法

权利要求书

1.一种光吸收体的制造方法，其中，其包括：

第一步骤，该步骤对树脂基板照射离子束；

第二步骤，该步骤使用碱溶液对所述照射后的树脂基板进行蚀刻从而在其表面形成凹凸面，并且通过所述第一步骤和该第二步骤，在所述树脂基板上形成4μm～15μm的波长的全反射率为0.1％以下的所述凹凸面；

第三步骤，该步骤形成覆盖所述蚀刻后的树脂基板的凹凸面的转印体；以及

第四步骤，该步骤从所述树脂基板剥离所述转印体从而得到光吸收体。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中，

所述树脂基板为烯丙基二甘醇碳酸酯树脂CR-39，

所述离子束使用Ne离子以及比Ne离子更重的离子中的任意一种，

所述碱溶液具有强碱性。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中，

所述离子束的加速能量为200MeV以上。

4.如权利要求2所述的制造方法，其中，

所述离子束的加速能量为200MeV以上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，

在所述第三步骤中，所述转印体是形成在所述蚀刻后的树脂基板的凹凸面的金属膜。

6.如权利要求5所述的制造方法，其中，

所述金属膜的光吸收体形成了250nm～770nm的波长的全反射率为0.5％以下的表面。

7.如权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，

在所述第三步骤中，所述转印体是在所述蚀刻后的树脂基板的凹凸面上涂布光固化性树脂并通过光照射固化后的光固化性树脂。

8.如权利要求7所述的制造方法，其中，

所述光固化性树脂的光吸收体形成了3μm～15μm的波长的全反射率为0.3％以下的表面。

9.如权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，

在所述第三步骤中，所述转印体是在所述蚀刻后的树脂基板的凹凸面上涂布硅组合物并固化后的硅橡胶。

10.如权利要求9所述的制造方法，其中，

所述硅橡胶的光吸收体形成了5.5μm～15μm的波长的全反射率为0.2％以下的表面。

11.如权利要求1～4、6、8、10中任一项所述的制造方法，其中，

其还包括：

第五步骤，该步骤形成覆盖在所述第四步骤中得到的所述转印体的凹凸面的再转印体；以及

第六步骤，该步骤从所述转印体剥离所述再转印体从而得到光吸收体。

12.如权利要求5所述的制造方法，其中，

其还包括：

第五步骤，该步骤形成覆盖在所述第四步骤中得到的所述转印体的凹凸面的再转印体；以及

第六步骤，该步骤从所述转印体剥离所述再转印体从而得到光吸收体。

13.如权利要求7所述的制造方法，其中，

其还包括：

第五步骤，该步骤形成覆盖在所述第四步骤中得到的所述转印体的凹凸面的再转印体；以及

第六步骤，该步骤从所述转印体剥离所述再转印体从而得到光吸收体。

14.如权利要求9所述的制造方法，其中，

其还包括：

第五步骤，该步骤形成覆盖在所述第四步骤中得到的所述转印体的凹凸面的再转印体；以及

第六步骤，该步骤从所述转印体剥离所述再转印体从而得到光吸收体。