[发明专利]非发光可变透射设备及其制造工艺

权利要求书

1.一种非发光可变透射设备，包括：

第一基底；

第一透明导电层，所述第一透明导电层覆盖所述第一基底；

电致变色层，所示电致变色层覆盖所述第一透明导电层；

第二透明导电层，所述第二透明导电层覆盖所述电致变色层；

第二基底；以及

中间层，所述中间层设置在所述第一基底与所述第二基底之间，

其中构造所述非发光可变透射设备，使得涉及所述中间层的所述非发光可变透射设备出现失效情况的可能性低于另一非发光可变透射设备，所述另一非发光可变透射设备中的所述中间层直接接触所述第二透明导电层并且具有至少0.08wt％的含水量。

2.根据权利要求1所述的非发光可变透射设备，其中：

所述中间层具有至多0.05wt％的含水量；或

所述非发光可变透射设备进一步包括设置在所述第二透明导电层与所述中间层之间的阻挡层，其中所述阻挡层至少部分地延伸穿过所述第二透明导电层。

3.一种非发光可变透射设备，包括：

第一基底；

第一透明导电层，所述第一透明导电层覆盖所述第一基底；

电致变色层，所示电致变色层覆盖所述第一透明导电层；

第二透明导电层，所述第二透明导电层覆盖所述电致变色层；

第二基底；以及

中间层，所述中间层设置在所述第一基底与所述第二基底之间，

其中：

所述中间层具有至多0.05wt％的含水量；或

阻挡层设置在所述第二透明导电层与所述中间层之间，并且所述阻挡层至少部分地延伸穿过所述第二透明导电层或覆盖至少部分地延伸穿过所述第二透明导电层的通道。

4.一种制造非发光可变透射设备的工艺，所述工艺包括：

形成第一透明导电层，所述第一透明导电层覆盖第一基底；

形成电致变色层，所述电致变色层覆盖所述第一透明导电层；

形成第二透明导电层，所述第二透明导电层覆盖所述电致变色层；

使用中间层接合所述第一基底和第二基底，所述中间层设置在所述第二导电层与所述第二基底之间，

其中：

所述中间层具有至多0.05wt％的含水量；或

所述工艺进一步包括形成阻挡层，所述阻挡层至少部分地延伸穿过所述第二透明导电层，其中在形成所述阻挡层之后，执行所述第一基底和所述第二基底的接合操作。

5.根据权利要求4所述的工艺，其中在形成所述第二透明导电层之后和在接合所述第一基底和所述第二基底之前，空隙或通道至少延伸穿过所述第二透明导电层。

6.根据权利要求5所述的工艺，进一步包括喷射位于所述第二透明导电层下方的颗粒，留下至少延伸穿过所述第二透明导电层的空隙或通道。

7.根据权利要求6所述的工艺，其中形成电致变色叠堆包括：

在所述基底上方引入所述颗粒；并且

在所述颗粒上方沉积一层所述电致变色叠堆。

8.根据权利要求7所述的工艺，其中所述第一透明导电层沿所述空隙或所述通道的一部分暴露。

9.根据权利要求6所述的工艺，其中执行形成所述阻挡层的操作，使得在所述空隙内或所述通道内形成一部分所述阻挡层，或一部分所述阻挡层封闭所述通道。

10.根据前述权利要求中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，进一步包括电致变色叠堆，其中所述电致变色叠堆包括：

第一电极层，所述第一电极层包括所述电致变色层或离子存储层；

离子导电层；

第二电极层，所述第二电极层包括所述电致变色层或所述离子存储层中的另一者，

其中：

所述离子导电层设置在所述第一电极层与所述第二电极层之间；

所述第一透明导电层更靠近所述第一电极而不是所述第二电极；并且

所述第二透明导电层更靠近所述第二电极而不是所述第一电极。