[发明专利]用于制造液晶取向膜的方法

权利要求书

1.一种用于制造液晶取向膜的方法，所述方法包括：

制备其中依次设置有基底、导电层、液晶取向层和钝化膜的多层结构；

通过向所述多层结构照射脉冲激光来蚀刻所述液晶取向层的一个区域；以及

通过除去所述钝化膜而使所述导电层的一个区域暴露，

其中从所述钝化膜向所述液晶取向层照射所述脉冲激光，

其中所述导电层的一个区域的所述暴露通过除去所述钝化膜连同通过所述脉冲激光的照射而蚀刻的所述液晶取向层的残留物来进行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底为聚合物基底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化膜在343nm的波长下的透光率为50％或更大。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层结构还包括所述钝化膜与所述液晶取向层之间的粘合剂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述多层结构还包括所述导电层与所述液晶取向层之间的两个或更多个隔开的间隔物。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述间隔物为柱间隔物或珠间隔物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在与所述钝化膜相邻的所述液晶取向层的表面上聚集地照射所述脉冲激光。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述脉冲激光为皮秒激光。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述脉冲激光的最大脉冲能量为50μJ或更大且100μJ或更小，以及

所述脉冲激光的脉冲能量为所述最大脉冲能量的5％或更大且15％或更小。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述脉冲激光的频率为10kHz或更大且400kHz或更小。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述脉冲激光的光斑间隔为10μm或更大且100μm或更小。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述脉冲激光的照射速度为0.1m/秒或更大且10m/秒或更小。