[发明专利]电路板有效

专利信息
申请号: 201880061242.8 申请日: 2018-09-18
公开(公告)号: CN111279802B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 李棕湜;具珍娥;尹琇靖;李卿硕;任贤九 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H05K1/03 分类号: H05K1/03;H05K3/38;C01B21/064
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 李琳;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电路板
【权利要求书】:

1.一种电路板,包括:

第一金属层;

绝缘层,所述绝缘层设置在所述第一金属层上,并且包括氮化硼团聚体被树脂涂覆的颗粒;以及

第二金属层,所述第二金属层设置在所述绝缘层上,

其中,所述第一金属层的两个表面中的设置所述绝缘层的一个表面的至少一部分与所述绝缘层的一个表面接触,

所述第二金属层的两个表面中的设置所述绝缘层的一个表面的至少一部分与所述绝缘层的另一个表面接触,

在所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一者的所述两个表面中的设置所述绝缘层的所述一个表面中形成有多个凹槽,

每个所述颗粒的至少一部分设置在所述多个凹槽中的每个凹槽的至少一部分中,

所述多个凹槽中的至少一个凹槽的宽度W是所述颗粒的D50的1倍至1.8倍,并且

所述多个凹槽中的所述至少一个凹槽的深度D与所述宽度W之比D/W在0.2至0.3的范围内。

2.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述多个凹槽中的至少一个凹槽包括沿所述深度D的方向设置的壁面以及与所述壁面连接的底表面。

3.根据权利要求2所述的电路板,其中,所述底表面具有凹陷形状。

4.根据权利要求3所述的电路板,其中,所述底表面形成为使得所述深度D在从所述宽度的边缘到所述宽度的中心的方向上逐渐增大。

5.根据权利要求3所述的电路板,其中,所述底表面的横截面具有弯曲形状。

6.根据权利要求3所述的电路板,其中,所述壁面被设置为多个壁面,并且

所述多个壁面中的第一壁面相对于与所述第一壁面相邻的第二壁面形成规定角度。

7.根据权利要求6所述的电路板,其中,所述壁面被设置为六个壁面。

8.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述第一金属层的所述两个表面和所述第二金属层的所述两个表面中的形成有所述多个凹槽的所述一个表面具有蜂窝形状。

9.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一者包括铜Cu并且具有电路图案。

10.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述绝缘层与所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一者直接接触。

11.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述绝缘层的厚度为所述颗粒的所述D50的1倍至2倍。

12.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述氮化硼团聚体包括:

多个板状氮化硼化合物团聚在一起的团聚体;以及

形成在所述团聚体上的涂层,

其中,所述涂层包括具有以下单体的聚合物:

其中,R1、R2、R3和R4中的一个是氢H,

其余的每一个选自由C1-C3烃基、C2-C3烯烃和C2-C3炔烃组成的组,并且

R5是具有1个至12个碳原子的直链、支链或环状二价有机链。

13.根据权利要求12所述的电路板,其中,所述绝缘层包括在15体积%至35体积%的范围内的所述树脂以及在65体积%至85体积%的范围内的所述氮化硼团聚体。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880061242.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top