[发明专利]用于光刻设备的控制系统有效
申请号: | 201880060643.1 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN111095041B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | F·C·D·德纳维尔;A·S·特奇科夫 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;G03F7/20;G02B26/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光刻 设备 控制系统 | ||
一种控制系统配置成调整束或辐射的波前。所述控制系统具有限定所述束的传播路径的一部分的一对反射镜。所述反射镜中的每个反射镜具有轮廓化的反射表面,其配置成造成束的波前的变化。所述反射镜被定位成这样的方式:使所述反射镜相对于彼此旋转从而能够调整波前而不影响所述传播路径。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年9月20日提交的欧洲申请17192125.7的优先权,所述申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本发明涉及用于调整辐射束的波前的控制系统。所述控制系统可以构成适合于光刻设备的辐射源的一部分。
背景技术
光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将来自图案形成装置(例如,掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
光刻设备用于将图案投影到衬底上的辐射的波长决定了能够在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(具有在4-20nm范围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可用于在衬底上形成比常规光刻设备(所述常规光刻设备可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。
可以使用激光产生等离子体(LPP)辐射源来产生EUV辐射。LPP源可以包括配置成提供激光辐射束的种子激光器。激光辐射束可以被放大然后被传送到LPP源的等离子体形成部位区,以激励目标形成等离子体从而产生EUV辐射。激光辐射束的波前在到达等离子体形成区之前可以收集光学像差。光学像差可能以不期望的方式改变激光辐射束的波前的形状。激光辐射束的波前的形状可能影响LPP源的转化效率(即,产生的EUV辐射的功率与需要产生等离子体的功率之比)。
发明内容
根据本发明的第一方面,提供一种用于调整辐射束的波前的控制系统。所述控制系统包括第一反射镜,第一反射镜配置成接收沿第一传播方向的辐射束并沿第二传播方向反射辐射束。第一反射镜还配置成向辐射束的波前的形状施加第一变化。控制系统还包括第二反射镜,第二反射镜配置成沿第三传播方向反射被反射的辐射束,所述第二反射镜还配置成向辐射束的波前的形状施加第二变化。控制系统还具有致动系统,致动系统配置成使第一反射镜和第二反射镜中的特定的一个反射镜绕轴线旋转,所述轴线配置成维持第一传播方向、第二传播方向和第三传播方向中的每个传播方向。
由于辐射束行进通过辐射源时光学像差的收集,所以辐射束的波前的形状可能偏离波前的期望的形状,这可能进而降低辐射源的效率。控制系统有利地控制辐射束的波前的形状,从而能够实现辐射源的效率的增加。使用反射镜而不是透射式光学器件有利地允许控制大功率(例如,约25kW)的激光束,从而制造适用于LPP EUV辐射源的控制系统。控制系统提供不需要对已知的辐射源进行大量重新设计的便宜且灵活的解决方案。
致动系统还可以配置成使第一反射镜和第二反射镜中的另一个反射镜绕第二轴线旋转,所述第二轴线配置成维持第一传播方向、第二传播方向和第三传播方向中的每个传播方向。
第一反射镜和第二反射镜中的至少一个反射镜可以具有符合泽尼克多项式的空间反射结构,所述泽尼克多项式具有大于或等于二次的径向幂次。
泽尼克多项式可以用于表示不同类型的光学像差。具有实质上符合泽尼克多项式的反射镜的空间结构有利地实现了控制辐射束的波前的特定类型的光学像差。具有大于或等于二次的径向幂次的泽尼克多项式是非平面的。
泽尼克多项式可以是像散泽尼克多项式。
已经通过实验发现像散是在改善辐射源的效率时考虑和控制的重要的像差。具有实质上符合像散泽尼克多项式的第一反射镜和第二反射镜中的至少一个反射镜的空间反射结构有利地实现了向辐射束施加波前的形状的期望的像散变化。
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