[发明专利]用于光刻设备的控制系统有效
申请号: | 201880060643.1 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN111095041B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | F·C·D·德纳维尔;A·S·特奇科夫 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;G03F7/20;G02B26/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光刻 设备 控制系统 | ||
1.一种用于调整辐射束的波前的控制系统,所述控制系统包括:
第一反射镜,所述第一反射镜配置成接收沿第一传播方向的辐射束并沿第二传播方向反射所述辐射束,所述第一反射镜还配置成向所述辐射束的所述波前的形状施加第一变化;
第二反射镜,所述第二反射镜配置成沿第三传播方向反射被反射的辐射束,所述第二反射镜还配置成向所述辐射束的所述波前的所述形状施加第二变化;和
致动系统,所述致动系统配置成绕轴线旋转所述第一反射镜和所述第二反射镜中的特定的一个反射镜,所述轴线配置成维持所述第一传播方向、所述第二传播方向和所述第三传播方向中的每个传播方向。
2.根据权利要求1所述的控制系统,其中,所述致动系统还配置成绕第二轴线旋转所述第一反射镜和所述第二反射镜中的另一个反射镜,所述第二轴线配置成维持所述第一传播方向、所述第二传播方向和所述第三传播方向中的每个传播方向。
3.根据权利要求1或2所述的控制系统,其中,所述第一反射镜和第二反射镜中的至少一个反射镜具有符合泽尼克多项式的空间反射结构,所述泽尼克多项式具有大于或等于二次的径向幂次。
4.根据权利要求3所述的控制系统,其中,所述泽尼克多项式是像散泽尼克多项式。
5.根据权利要求3所述的控制系统,其中,所述空间反射结构符合叠加在二次表面上的泽尼克多项式,所述泽尼克多项式具有大于或等于二次的径向幂次。
6.根据权利要求5所述的控制系统,其中,所述泽尼克多项式是像散泽尼克多项式。
7.根据权利要求5或6所述的控制系统,其中,所述二次表面是抛物面。
8.根据权利要求1或2所述的控制系统,还包括波前传感器,所述波前传感器配置成感测所述辐射束的波前并输出指示所感测的波前的波前信号。
9.根据权利要求8所述的控制系统,还包括处理器,所述处理器配置成:
接收所述波前信号;
确定所述第一反射镜的第一角位置;
确定所述第二反射镜的第二角位置,
在所述第一角位置和所述第二角位置的所感测的波前的控制下确定所述第一角位置和所述第二角位置中的至少一个角位置的期望的调整;和
输出指示所述期望的调整的调整信号。
10.根据权利要求9所述的控制系统,还包括控制器,所述控制器配置成接收所述调整信号并依赖于所述调整信号控制所述致动系统。
11.一种EUV辐射源,配置成产生EUV辐射并包括:
燃料发射器,所述燃料发射器配置成提供燃料目标;
激光系统,所述激光系统配置成提供辐射束,所述辐射束入射在所述燃料目标上以将所述燃料目标转换成产生所述EUV辐射的等离子体;和
根据前述权利要求中任一项所述的控制系统。
12.一种光刻系统,包括根据权利要求11所述的EUV辐射源和光刻设备,所述光刻设备配置成接收来自所述EUV辐射源的EUV辐射并使用所述EUV辐射以将图案投影到衬底上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880060643.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。