[发明专利]片式熔断器有效

专利信息
申请号: 201880060244.5 申请日: 2018-09-26
公开(公告)号: CN111133548B 公开(公告)日: 2022-06-28
发明(设计)人: 横沟荣治;假谷正敏;松原正志 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01H85/175 分类号: H01H85/175;H01H85/046;H01H85/08;H01H85/17;H01H85/48
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王玮;张丰桥
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 熔断器
【权利要求书】:

1.一种片式熔断器,包括:由绝缘性材料构成的主体部、被配置在该主体部的内部且具有从该主体部露出的两端部的熔断器导体、以及分别覆盖该主体部的两端部且分别与该熔断器导体的两端部电连接的一对外部电极,其中,

上述主体部包括由第一绝缘性材料构成的层以及由第二绝缘性材料构成的层,在由上述第一绝缘性材料构成的层的内部存在空洞部以及上述熔断器导体,上述熔断器导体具有沿上述空洞部的壁面形成的熔断部,上述第一绝缘性材料是玻璃材料,上述第二绝缘性材料是包含Fe、Cu以及Zn的非磁性铁氧体材料。

2.根据权利要求1所述的片式熔断器,其中,

上述空洞部具有相对于彼此向相反侧弯曲成凸状的对置的两个壁面,上述熔断器导体的熔断部沿该两个壁面的任意一个壁面形成。

3.根据权利要求1或者2所述的片式熔断器,其中,

上述主体部以及上述熔断器导体构成烧结体。

4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的片式熔断器,其中,

上述熔断部具有曲折形状。

5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的片式熔断器,其中,

上述主体部中至少与上述熔断部接触的部分由具有0.05W·m-1·K-1以上且10.00W·m-1·K-1以下的导热系数的第一绝缘性材料构成。

6.根据权利要求5所述的片式熔断器,其中,

上述第一绝缘性材料具有0.05W·m-1·K-1以上且10.00W·m-1·K-1以下的导热系数,上述第二绝缘性材料具有比上述第一绝缘性材料高的强度。

7.根据权利要求6所述的片式熔断器,其中,

由上述第一绝缘性材料构成的层配置在由上述第二绝缘性材料构成的两个层之间。

8.根据权利要求1~7中的任意一项所述的片式熔断器,其中,

片式熔断器具有0.55mm以上且0.65mm以下的长度以及0.25mm以上且0.35mm以下的宽度。

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